高频DC/DC转换器减少开关压力和系统浪涌电流
发布时间:2021/7/8 19:44:54 访问次数:577
LinkSwitch™-TNZ高效开关电源IC在一个紧凑的SO-8C封装当中集成了离线功率变换、无损耗过零点检测以及可选的X电容放电功能,可用于输出电流高达575mA的非隔离降压和降压-升压电源应用,而如果采用隔离反激式设计,通用输入电压下可提供高达12W的输出功率。
新的LinkSwitch-TNZ IC在正弦AC输入电压为零伏时会发出精准的信号指示。
这些信号在智能家居和智能建筑(HBA)产品和家电应用中可用来控制继电器、IGBT和TRIAC的开关,以减少开关压力和系统浪涌电流。
制造商: NXP
产品种类: ARM微控制器 - MCU
RoHS: 详细信息
系列: LPC5410x
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LQFP-64
核心: ARM Cortex M0+, ARM Cortex M4
程序存储器大小: 512 kB
数据总线宽度: 32 bit
ADC分辨率: 12 bit
最大时钟频率: 150 MHz, 150 MHz
输入/输出端数量: 50 I/O
数据 RAM 大小: 104 kB
工作电源电压: 1.8 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 105 C
封装: Tray
长度: 12.15 mm
产品: MCU
程序存储器类型: Flash
商标: NXP Semiconductors
数据 Ram 类型: SRAM
接口类型: I2C, SPI, USART
模拟电源电压: 1.62 V to 3.6 V
I/O 电压: 3.3 V
ADC通道数量: 12 Channel
计时器/计数器数量: 5 Timer
处理器系列: LPC5410x
产品类型: ARM Microcontrollers - MCU
工厂包装数量: 160
子类别: Microcontrollers - MCU
电源电压-最大: 1.95 V
电源电压-最小: 1.62 V
看门狗计时器: Watchdog Timer
零件号别名: 935305138151
单位重量: 1 mg

由于EPC2054具有低电阻、低开关损耗、没有反向恢复电荷、快速开关、可在高频下工作和微小的占板面积等优势,因此可实现低成本且具有高功率密度的解决方案,适用于但不限于高频DC/DC转换器、同步整流、无线电源、D类音频放大器、自动化、太阳能和光学等应用。
新型eGaN FET的明显优势,功率系统设计人员可以利用性能更高、体积更小、散热效率更高且成本相当的氮化镓器件实现优越的解决方案。
氮化镓器件替代功率 MOSFET 的速度将继续加速。
LinkSwitch™-TNZ高效开关电源IC在一个紧凑的SO-8C封装当中集成了离线功率变换、无损耗过零点检测以及可选的X电容放电功能,可用于输出电流高达575mA的非隔离降压和降压-升压电源应用,而如果采用隔离反激式设计,通用输入电压下可提供高达12W的输出功率。
新的LinkSwitch-TNZ IC在正弦AC输入电压为零伏时会发出精准的信号指示。
这些信号在智能家居和智能建筑(HBA)产品和家电应用中可用来控制继电器、IGBT和TRIAC的开关,以减少开关压力和系统浪涌电流。
制造商: NXP
产品种类: ARM微控制器 - MCU
RoHS: 详细信息
系列: LPC5410x
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LQFP-64
核心: ARM Cortex M0+, ARM Cortex M4
程序存储器大小: 512 kB
数据总线宽度: 32 bit
ADC分辨率: 12 bit
最大时钟频率: 150 MHz, 150 MHz
输入/输出端数量: 50 I/O
数据 RAM 大小: 104 kB
工作电源电压: 1.8 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 105 C
封装: Tray
长度: 12.15 mm
产品: MCU
程序存储器类型: Flash
商标: NXP Semiconductors
数据 Ram 类型: SRAM
接口类型: I2C, SPI, USART
模拟电源电压: 1.62 V to 3.6 V
I/O 电压: 3.3 V
ADC通道数量: 12 Channel
计时器/计数器数量: 5 Timer
处理器系列: LPC5410x
产品类型: ARM Microcontrollers - MCU
工厂包装数量: 160
子类别: Microcontrollers - MCU
电源电压-最大: 1.95 V
电源电压-最小: 1.62 V
看门狗计时器: Watchdog Timer
零件号别名: 935305138151
单位重量: 1 mg

由于EPC2054具有低电阻、低开关损耗、没有反向恢复电荷、快速开关、可在高频下工作和微小的占板面积等优势,因此可实现低成本且具有高功率密度的解决方案,适用于但不限于高频DC/DC转换器、同步整流、无线电源、D类音频放大器、自动化、太阳能和光学等应用。
新型eGaN FET的明显优势,功率系统设计人员可以利用性能更高、体积更小、散热效率更高且成本相当的氮化镓器件实现优越的解决方案。
氮化镓器件替代功率 MOSFET 的速度将继续加速。