连续谐振模式(CRM)操作,器件还提供先进的零电压谐振谷(ZV-RVS)和突发模式,一支持整个负载范围和宽输出电压范围的最高效率.

600V高压起动单元,保证了快速充电和低待机功耗,支持无负载待机功耗小于75mW.

器件可配置缓升和低落保护,可配置内置软起动,可配置突发模式进入和退出捎带小量延迟的电流阈值,可配置过流保护,可配置输出过压保护,可配置开关频率的抖动,可配置传输时延补偿以得到精确的峰值电流控制, RoHS兼容,符合IEC61249-2-21无卤素添加标准.

制造商: Renesas Electronics

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-3P-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV

Id-连续漏极电流: 2.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 12 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: -

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 100 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: mm

长度: mm

宽度: mm

商标: Renesas Electronics

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 30

子类别: MOSFETs

单位重量: 1.600 g

主要应用

高速接口 IC，以及USB 3.1、USB 3.2、HDMI、FireWire 和Thunderbolt数据线

智能手机、笔记本电脑、平板电脑、可穿戴设备及网络组件

主要特点与优势

超低电容：1 MHz 条件下仅为~0.5 pF 或 ~0.6 pF

超低残压：8 A峰值电流条件下仅为~3.8 V

超小尺寸：400 x 200 μm (WL-CSP01005) 或 600 x 300 μm

满足 IEC 61000-4-2 标准的ESD 保护性能：ESD接触放电电压可达15 kV

高达7 A的大浪涌电流负载能力，满足IEC 61000-4-5 (8/20μs) 标准要求

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）