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64MHz实现超低电流消耗ESD接触放电电压可达15kV

发布时间:2021/7/4 13:52:19 访问次数:320

每路集成的输出沉电流高达130mA.器件采用餐.5V-36V宽输入电压,能经受住汽车负载突降事件.内部电流模式开关DC/DC控制器支持升压或SEPIC拓扑,工作的频率范围为400kHz到2.2MHz.

EV12AQ60x模数转换器(ADC)系列。新的EV12AQ600-FMC-EVM开发套件将成为实施混合信号子系统的宝贵工具。

该套件适用于与航空电子、军事、航天、电信、工业和高能物理应用相关的原型设计工作,可用于评估该公司的EV12AQ600和EV12AQ605的12位四通道ADC的运作。

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 115 mA

Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: -

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 200 mW

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.2 mm

长度: 2.9 mm

产品: MOSFET Small Signal

系列: 2N7002

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 1.3 mm

商标: ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值: 0.08 S

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

零件号别名: 2N7002_NL

单位重量: 8 mg

RE011500KB是基于SOTB™ 工艺技术,在运行和待机模式下以及低电压(1.62V)下的高速运行 (64MHz)时都可实现超低电流消耗,而传统主体硅工艺无法做到这一点.

RE01 1500KB 产品能够显著延长电池续航时间,即使在使用小电池和能量采集电源的应用中,也可以提供高性能.

新型保护元件的设计满足IEC 61000-4-2标准,其ESD接触放电电压可达15 kV,大幅领先于标准要求。尽管它们尺寸小巧,但具有高达7 A的大浪涌电流负载能力,满足IEC 61000-4-5 (8/20μs) 标准要求。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

每路集成的输出沉电流高达130mA.器件采用餐.5V-36V宽输入电压,能经受住汽车负载突降事件.内部电流模式开关DC/DC控制器支持升压或SEPIC拓扑,工作的频率范围为400kHz到2.2MHz.

EV12AQ60x模数转换器(ADC)系列。新的EV12AQ600-FMC-EVM开发套件将成为实施混合信号子系统的宝贵工具。

该套件适用于与航空电子、军事、航天、电信、工业和高能物理应用相关的原型设计工作,可用于评估该公司的EV12AQ600和EV12AQ605的12位四通道ADC的运作。

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 115 mA

Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: -

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 200 mW

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.2 mm

长度: 2.9 mm

产品: MOSFET Small Signal

系列: 2N7002

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 1.3 mm

商标: ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值: 0.08 S

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

零件号别名: 2N7002_NL

单位重量: 8 mg

RE011500KB是基于SOTB™ 工艺技术,在运行和待机模式下以及低电压(1.62V)下的高速运行 (64MHz)时都可实现超低电流消耗,而传统主体硅工艺无法做到这一点.

RE01 1500KB 产品能够显著延长电池续航时间,即使在使用小电池和能量采集电源的应用中,也可以提供高性能.

新型保护元件的设计满足IEC 61000-4-2标准,其ESD接触放电电压可达15 kV,大幅领先于标准要求。尽管它们尺寸小巧,但具有高达7 A的大浪涌电流负载能力,满足IEC 61000-4-5 (8/20μs) 标准要求。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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