PCIe 3.0时钟缓冲器可以减少零组件的整体使用数量
发布时间:2021/6/26 16:44:21 访问次数:416
第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。
全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。
该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。
制造商:Intel产品种类:CPLD - 复杂可编程逻辑器件RoHS: 产品:MAX V大电池数量:440逻辑数组块数量——LAB:57最大工作频率:152 MHz传播延迟—最大值:9 ns输入/输出端数量:114 I/O工作电源电压:1.8 V最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 70 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TQFP-144封装:Tray存储类型:Flash系列:商标:Intel / Altera湿度敏感性:Yes逻辑元件数量:570工作电源电流:27 uA产品类型:CPLD - Complex Programmable Logic Devices60子类别:Programmable Logic ICs电源电压-最大:1.89 V电源电压-最小:1.71 V总内存:8192 bit商标名:零件号别名:965745单位重量:14.041 g
PI7C9X3G808GP 藉由这项 CDEP 功能支持扇出与双主机连接。
内建的 PCIe 3.0 时钟缓冲器可以减少零组件的整体使用数量，有助于降低 BOM 成本。此整合式缓冲器具低功耗操作特色，成为业界独一无二的产品。
可以使用三种参考频率选项：通用、独立参考无扩频 (SRNS) 及独立参考扩频 (SRIS)。
Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封装方式，尺寸为 15mm x 15mm。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。
全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。
该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。
制造商:Intel产品种类:CPLD - 复杂可编程逻辑器件RoHS: 产品:MAX V大电池数量:440逻辑数组块数量——LAB:57最大工作频率:152 MHz传播延迟—最大值:9 ns输入/输出端数量:114 I/O工作电源电压:1.8 V最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 70 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TQFP-144封装:Tray存储类型:Flash系列:商标:Intel / Altera湿度敏感性:Yes逻辑元件数量:570工作电源电流:27 uA产品类型:CPLD - Complex Programmable Logic Devices60子类别:Programmable Logic ICs电源电压-最大:1.89 V电源电压-最小:1.71 V总内存:8192 bit商标名:零件号别名:965745单位重量:14.041 g
PI7C9X3G808GP 藉由这项 CDEP 功能支持扇出与双主机连接。
内建的 PCIe 3.0 时钟缓冲器可以减少零组件的整体使用数量，有助于降低 BOM 成本。此整合式缓冲器具低功耗操作特色，成为业界独一无二的产品。
可以使用三种参考频率选项：通用、独立参考无扩频 (SRNS) 及独立参考扩频 (SRIS)。
Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封装方式，尺寸为 15mm x 15mm。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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