ON/OFF控制来调整输出电压超低功耗非易失PLD器件
发布时间:2021/6/19 13:30:54 访问次数:1094
i.MX RT1170处理器有2MB片上RAM,包括可灵活配置TCM(和M7 TCM共享的512KB RAM 以及和M4 TCM共享的256KB RAM) 768KB RAM或通用片上RAM.器件集成了先进的功率管理模块和DC/DC与LDO稳压器,降低了外部电源的复杂性,简化了加电次序.
和通常的PWM控制器不同,LinkSwitch-XT2系列采用简化的ON/OFF控制来调整输出电压.
i.MX RT1170还提供各种存储器接口包括SDRAM,RAWNAND FLASH,NOR FLASH, SD/eMMC, Quad/Octal SPI, HyperRAM/Flash以及各种连接外设如WLAN, Bluetooth™,GPS, 显示器和照相机传感器.
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:S-V 产品:Aluminum Electrolytic Capacitors 电容:220 uF 电压额定值 DC:35 VDC 容差:20 % 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 直径:10 mm 长度:10.2 mm 高度:12 mm 寿命:2000 Hour 纹波电流:310 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 类型:SMT Aluminum Electrolytic Capacitors 商标:Panasonic 漏泄电流:3 uA 损耗因数 DF:0.14 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:500 子类别:Capacitors 单位重量:680 mg
MachXO2系列是超低功耗非易失PLD器件,共有六个器件,查找表(LUT)从256到6864.
此外,基于LUT,低成本可编逻辑这些器件具有嵌入区块RAM(EBR),分布式RAM,用户闪存(UFM),锁相环(PLL),支持预工程源同步I/O,支持先进的配置包括双引导功能和通用功能的硬化版本包括SPI控制器,I2C 控制器和计时器/计数器.这些特性使得这些器件可用在低成本量大的消费类和系统应用.
MachXO2系列产品采用65nm非易失低功耗工艺,器件的架构有几个特性如可编低摆动差分I/O和能够关断I/O 组(bank),片上PLL和动态振荡器.
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
i.MX RT1170处理器有2MB片上RAM,包括可灵活配置TCM(和M7 TCM共享的512KB RAM 以及和M4 TCM共享的256KB RAM) 768KB RAM或通用片上RAM.器件集成了先进的功率管理模块和DC/DC与LDO稳压器,降低了外部电源的复杂性,简化了加电次序.
和通常的PWM控制器不同,LinkSwitch-XT2系列采用简化的ON/OFF控制来调整输出电压.
i.MX RT1170还提供各种存储器接口包括SDRAM,RAWNAND FLASH,NOR FLASH, SD/eMMC, Quad/Octal SPI, HyperRAM/Flash以及各种连接外设如WLAN, Bluetooth™,GPS, 显示器和照相机传感器.
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:S-V 产品:Aluminum Electrolytic Capacitors 电容:220 uF 电压额定值 DC:35 VDC 容差:20 % 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 直径:10 mm 长度:10.2 mm 高度:12 mm 寿命:2000 Hour 纹波电流:310 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 类型:SMT Aluminum Electrolytic Capacitors 商标:Panasonic 漏泄电流:3 uA 损耗因数 DF:0.14 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:500 子类别:Capacitors 单位重量:680 mg
MachXO2系列是超低功耗非易失PLD器件,共有六个器件,查找表(LUT)从256到6864.
此外,基于LUT,低成本可编逻辑这些器件具有嵌入区块RAM(EBR),分布式RAM,用户闪存(UFM),锁相环(PLL),支持预工程源同步I/O,支持先进的配置包括双引导功能和通用功能的硬化版本包括SPI控制器,I2C 控制器和计时器/计数器.这些特性使得这些器件可用在低成本量大的消费类和系统应用.
MachXO2系列产品采用65nm非易失低功耗工艺,器件的架构有几个特性如可编低摆动差分I/O和能够关断I/O 组(bank),片上PLL和动态振荡器.
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)