全球领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布继续扩展FET产品组合，并推出六款全新的650V和1200V产品，所有这些器件均采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装。

这些最新的SiC FET可提供30、40、80和150mΩ版本，表明碳化硅器件在加速向服务器和电信电源、工业电池充电器和电源、电动汽车车载充电器和DC-DC转换器等应用的扩展过程中又迈出了一大步。

制造商:ON Semiconductor产品种类:低压差稳压器RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOP-5输出电压:1.8 V输出电流:300 mA输出端数量:1 Output极性:Positive静态电流:50 uA最大输入电压:5.5 V最小输入电压:1.7 V输出类型:Fixed最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C回动电压:260 mV系列:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel产品:LDO Voltage Regulators类型:CMOS LDO Regulator商标:ON Semiconductor回动电压—最大值:355 mV输出电压范围:-PSRR/纹波抑制—典型值:75 dB线路调整率:0.01 %/V负载调节:28 mV产品类型:LDO Voltage Regulators3000子类别:PMIC - Power Management ICs单位重量:14.080 mg

D2PAK-7L SiC FET支持大幅提高的开关速度，通过开尔文（Kelvin）源极连接改善了栅极驱动器的回路性能，并具有业界领先的散热能力。

这些最新FET由于具备快速开关能力，再加上银烧结技术带来的卓越散热性能，我们将能够继续为电源设计人员带来性能、可靠性、尺寸和布局等方面的优势。

高精度A31315位置传感器能够满足自动驾驶系统和ADAS应用的关键安全需求，它具有先进的片上诊断功能，可确保可靠、安全运行。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）