恒定导通电流(ION)0.7AU-MOSX-H制程和一种低压沟槽结构
发布时间:2021/6/17 19:02:09 访问次数:413
TLP170AM的断态输出端额定电压为60V，恒定导通电流（ION）为0.7A，脉冲状态工作时最高可达2.1A。TLP170GM为350V版本，ION恒定电流为110mA，脉冲状态工作时为330mA。
RA6M1是120MHzArm® Cortex®-M4核 MCU,集成了512KB代码闪存,256KB SRAM,容性触摸检测单元,USB 2.0全素,SDHI,Quad SPI,防护与安全特性和先进的模拟.
MCU集成了软件和引脚兼容的基于Arm®32位核的多个系列,共享Renesas外设共同集,方便了设计的升级和基于平台的有效的产品开发.
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:HA-V High 产品:General Purpose Electrolytic Capacitors 电容:22 uF 电压额定值 DC:35 VDC 容差:20 % 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 105 C 直径:5 mm 长度:5.5 mm 高度:5.4 mm 寿命:1000 Hour 纹波电流:35 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 类型:Surface Mount Type 商标:Panasonic 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:1000 子类别:Capacitors 单位重量:200 mg
新工艺80V N沟道功率MOSFET“U-MOSX-H系列”产品线中新增了四位“新成员”，该系列产品专门用于工业设备的开关式电源。
其中，“TPH2R408QM”和“TPH4R008QM”采用SOP Advance(N)贴片式封装技术实现焊盘图案的工业兼容性；“TPN8R408QM”和“TPN12008QM”采用TSON Advance封装技术。
通过采用最新工艺的U-MOSX-H制程和一种低压沟槽结构，这几款新产品具有行业领先的低漏源导通电阻。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
TLP170AM的断态输出端额定电压为60V，恒定导通电流（ION）为0.7A，脉冲状态工作时最高可达2.1A。TLP170GM为350V版本，ION恒定电流为110mA，脉冲状态工作时为330mA。
RA6M1是120MHzArm® Cortex®-M4核 MCU,集成了512KB代码闪存,256KB SRAM,容性触摸检测单元,USB 2.0全素,SDHI,Quad SPI,防护与安全特性和先进的模拟.
MCU集成了软件和引脚兼容的基于Arm®32位核的多个系列,共享Renesas外设共同集,方便了设计的升级和基于平台的有效的产品开发.
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:HA-V High 产品:General Purpose Electrolytic Capacitors 电容:22 uF 电压额定值 DC:35 VDC 容差:20 % 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 105 C 直径:5 mm 长度:5.5 mm 高度:5.4 mm 寿命:1000 Hour 纹波电流:35 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 类型:Surface Mount Type 商标:Panasonic 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:1000 子类别:Capacitors 单位重量:200 mg
新工艺80V N沟道功率MOSFET“U-MOSX-H系列”产品线中新增了四位“新成员”，该系列产品专门用于工业设备的开关式电源。
其中，“TPH2R408QM”和“TPH4R008QM”采用SOP Advance(N)贴片式封装技术实现焊盘图案的工业兼容性；“TPN8R408QM”和“TPN12008QM”采用TSON Advance封装技术。
通过采用最新工艺的U-MOSX-H制程和一种低压沟槽结构，这几款新产品具有行业领先的低漏源导通电阻。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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