内置的可编扩频开关频率调制和强迫连续电流稳流模式
发布时间:2021/6/10 22:03:57 访问次数:183
TLD5542-1是同步MOSFET H桥DC/DC控制器,内置了保护特性和SPI接口,能以最大的系统效率和最少的外接元件驱动大功率LED.
TLD5542-1提供模拟和数字(PWM)调光,开关频率在200kHz和700kHz间可调.器件可与外接时钟源同步.内置的可编扩频开关频率调制和强迫连续电流稳流模式改善了整个EMC性能.
器件满足汽车AEC规范.采用小型热增强特性的PG-VQFN-48或PG-TQFP-48封装.主要用在环境苛刻的汽车电子.
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:FK-V 产品:High Temp Electrolytic Capacitors 电容:100 uF 电压额定值 DC:35 VDC 容差:20 % ESR:160 mOhms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 105 C 直径:8 mm 长度:10.2 mm 高度:10.2 mm 寿命:5000 Hour 纹波电流:600 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 类型:Aluminum Electrolytic Capacitors/Medium-size 商标:Panasonic 漏泄电流:3 uA 损耗因数 DF:0.12 引线间隔:3.1 mm 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:500 子类别:Capacitors 单位重量:880 mg
器件带有专用 DMA 的以太网控制器,电容触摸按键感应单元,高速和全速 USB 2.0和CAN FD(也支持CAN 2.0B), QuadSPI和OctaSPI以及SCI多功能串口(UART,简单 SPI,简单 I2C), SPI/ I2C 多主接口, SDHI和MMC.工作电压2.7V-3.6V,工作温度-40Ｃ到+105Ｃ.
SOT-23封装的器件工作温度-40C到 +125C (E-温度).
3×3 VDFN封装的器件工作温度-40C到 +150C (H温度).零飘移架构支持非常低的输入误差,允许设计采用并联电阻的值较低,从而更低的功耗.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
TLD5542-1是同步MOSFET H桥DC/DC控制器,内置了保护特性和SPI接口,能以最大的系统效率和最少的外接元件驱动大功率LED.
TLD5542-1提供模拟和数字(PWM)调光,开关频率在200kHz和700kHz间可调.器件可与外接时钟源同步.内置的可编扩频开关频率调制和强迫连续电流稳流模式改善了整个EMC性能.
器件满足汽车AEC规范.采用小型热增强特性的PG-VQFN-48或PG-TQFP-48封装.主要用在环境苛刻的汽车电子.
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:FK-V 产品:High Temp Electrolytic Capacitors 电容:100 uF 电压额定值 DC:35 VDC 容差:20 % ESR:160 mOhms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 105 C 直径:8 mm 长度:10.2 mm 高度:10.2 mm 寿命:5000 Hour 纹波电流:600 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 类型:Aluminum Electrolytic Capacitors/Medium-size 商标:Panasonic 漏泄电流:3 uA 损耗因数 DF:0.12 引线间隔:3.1 mm 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:500 子类别:Capacitors 单位重量:880 mg
器件带有专用 DMA 的以太网控制器,电容触摸按键感应单元,高速和全速 USB 2.0和CAN FD(也支持CAN 2.0B), QuadSPI和OctaSPI以及SCI多功能串口(UART,简单 SPI,简单 I2C), SPI/ I2C 多主接口, SDHI和MMC.工作电压2.7V-3.6V,工作温度-40Ｃ到+105Ｃ.
SOT-23封装的器件工作温度-40C到 +125C (E-温度).
3×3 VDFN封装的器件工作温度-40C到 +150C (H温度).零飘移架构支持非常低的输入误差,允许设计采用并联电阻的值较低,从而更低的功耗.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-8集成SOC 驱动芯片 GD30DRE508 系列
- 5-8ARM Cortex-M7 600MHz 内核GD3
- 5-8存储、MCU 及模拟芯片应用前景分析
- 5-8高倍率磷酸铁锂电池技术发展趋势
- 5-8模块化多电平架构（MMC）应用参数配置
- 5-8构网型变流器核心技术及应用探究
- 5-7储能逆变、变频器、伺服电机及光通信应用场景
- 5-7第二代0.7微米5000万像素CIS GC50E1
- 5-7PACK、储能系统集成、逆变器及储能解读
- 5-7单帧高动态 DAG HDR 技术单芯片高像素CIS架
- 5-7第四代超薄叠片工艺与创新三维集流技术探究
- 5-7行业技术标杆Mr.Big系列600Ah+储能电芯
公网安备44030402000607
