端接电压工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性
发布时间:2021/6/9 13:28:30 访问次数:203
超小型的高功率TVS（瞬态抑制）二极管，进一步扩展了I/O接口的双向过压保护元件的产品组合。
新元件采用芯片级封装，尺寸仅为400 x 200μm2(CSP01005) 或 600 x 300μm2(CSP0201), 封装高度也极低，仅为100μm。
新型TVS二极管的设计工作电压为5V，响应电压为6.8 V。
在不同的峰值脉冲电流条件下，两款新元件的端接电压也不相同：当峰值脉冲电流为8 A时，钳位电压为7.2 V.
它们继承了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性。这降低了漏源导通电阻x栅极开关电荷[2]的值（开关应用的品质因数）。
适应各种现有的安装配置
具有可释放的DIN导轨安装，可简化安装
包括增强的保险丝夹，以提高可靠性
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
超小型的高功率TVS（瞬态抑制）二极管，进一步扩展了I/O接口的双向过压保护元件的产品组合。
新元件采用芯片级封装，尺寸仅为400 x 200μm2(CSP01005) 或 600 x 300μm2(CSP0201), 封装高度也极低，仅为100μm。
新型TVS二极管的设计工作电压为5V，响应电压为6.8 V。
在不同的峰值脉冲电流条件下，两款新元件的端接电压也不相同：当峰值脉冲电流为8 A时，钳位电压为7.2 V.
它们继承了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性。这降低了漏源导通电阻x栅极开关电荷[2]的值（开关应用的品质因数）。
适应各种现有的安装配置
具有可释放的DIN导轨安装，可简化安装
包括增强的保险丝夹，以提高可靠性
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