电源在2.0V和5.5V间嵌入式RAM和低功耗低至107uA/MHz
发布时间:2021/6/3 7:36:10 访问次数:176
RA6M5采用高效的40nm工艺,可以满足物联网应用的需求,如以太网,面向未来应用的安全功能,大容量嵌入式 RAM和低功耗, 低至 107uA/MHz.
器件具有1MB - 2MB 闪存,448KB 支持奇偶校验的 SRAM 和 64KB ECC SRAM.
器件带有专用 DMA 的以太网控制器,电容触摸按键感应单元,高速和全速 USB 2.0和CAN FD(也支持CAN 2.0B), QuadSPI和OctaSPI以及SCI多功能串口(UART,简单 SPI,简单 I2C), SPI/ I2C 多主接口, SDHI和MMC.工作电压2.7V-3.6V,工作温度-40Ｃ到+105Ｃ.
制造商:Toshiba产品种类:逻辑输出光电耦合器RoHS: 封装 / 箱体:SOP-4输出类型:Darlington通道数量:1 Channel绝缘电压:5000 Vrms最大连续输出电流:150 mAIf - 正向电流:10 mAVf - 正向电压:1.25 VVr - 反向电压 :5 VPd-功率耗散:250 mW最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 110 C系列:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel类型:Photocoupler商标:Toshiba传播延迟—最大值:-电流传递比:6000 %下降时间:30 us最大波特率:-产品类型:Logic Output Optocouplers上升时间:60 us1500子类别:Optocouplers单位重量:240 mg
高DC精度:VOS为±1.65 μV, CMRR为154 dB, PSRR为138 dB,增益为±0.1%.
主要用在满足AEC-Q100 Grade 0和Grade 1规范的汽车电子,马达控制,模拟电平转移,工业计算和电池监视器/测试器.
共模输入范围(VIP)是+3V到+65V,差分模式输入范围(VDM = VIP – VIM)支持单向和双向应用.器件的电源在2.0V和5.5V间.
零飘移架构支持非常低的输入误差,允许设计采用并联电阻的值较低,从而更低的功耗.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
RA6M5采用高效的40nm工艺,可以满足物联网应用的需求,如以太网,面向未来应用的安全功能,大容量嵌入式 RAM和低功耗, 低至 107uA/MHz.
器件具有1MB - 2MB 闪存,448KB 支持奇偶校验的 SRAM 和 64KB ECC SRAM.
器件带有专用 DMA 的以太网控制器,电容触摸按键感应单元,高速和全速 USB 2.0和CAN FD(也支持CAN 2.0B), QuadSPI和OctaSPI以及SCI多功能串口(UART,简单 SPI,简单 I2C), SPI/ I2C 多主接口, SDHI和MMC.工作电压2.7V-3.6V,工作温度-40Ｃ到+105Ｃ.
制造商:Toshiba产品种类:逻辑输出光电耦合器RoHS: 封装 / 箱体:SOP-4输出类型:Darlington通道数量:1 Channel绝缘电压:5000 Vrms最大连续输出电流:150 mAIf - 正向电流:10 mAVf - 正向电压:1.25 VVr - 反向电压 :5 VPd-功率耗散:250 mW最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 110 C系列:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel类型:Photocoupler商标:Toshiba传播延迟—最大值:-电流传递比:6000 %下降时间:30 us最大波特率:-产品类型:Logic Output Optocouplers上升时间:60 us1500子类别:Optocouplers单位重量:240 mg
高DC精度:VOS为±1.65 μV, CMRR为154 dB, PSRR为138 dB,增益为±0.1%.
主要用在满足AEC-Q100 Grade 0和Grade 1规范的汽车电子,马达控制,模拟电平转移,工业计算和电池监视器/测试器.
共模输入范围(VIP)是+3V到+65V,差分模式输入范围(VDM = VIP – VIM)支持单向和双向应用.器件的电源在2.0V和5.5V间.
零飘移架构支持非常低的输入误差,允许设计采用并联电阻的值较低,从而更低的功耗.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-6集成 MPPT 算法 DC-DC 芯片产品应用概述
- 5-6PMU 芯片、AI 电源管理芯片优特点及用途分析
- 5-6单芯片高像素CIS架构3,200 万像素图像传感器
- 5-6UFS主控芯片WM7000系列应用详情
- 5-6模拟芯片与互联芯片市场布局走势及应用前景探究
- 5-6存储芯片市场布局驱动芯片与智能卡芯片产品发展趋势分析
- 5-5新一代至强处理器Clearwater
- 5-5Ti2AlSnC MAX米纤维膜光热层光热蒸发器
- 5-5Foveros Direct和 EMIB（2.5D桥接）技术详解
- 5-518A-PT工艺先进3D封装技术应用研究
- 5-5新一代超薄中长距激光雷达EMX
- 5-5激光雷达+双英伟达Thor芯片（算力1400TOPS）探究
公网安备44030402000607
