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低EMI降压开关稳压器4.5V条件导通电阻与栅极电荷乘积

发布时间:2021/5/26 12:01:22 访问次数:726

用于汽车的S-19914/5系列低EMI降压开关稳压器。

新产品S-19914/5系列是一款低EMI降压开关稳压器,内置扩频时钟生成电路(*1),可减少集成电路(IC)产生的传导噪音和辐射噪音。

产品可将传导噪音降低到之前型号的1/3。S-19914/5系列采用业界最小的(*2) HSNT-8(2030)封装(2.0×3.0×t0.5mm),有助于缩小摄像头模块的尺寸,并能满足当前汽车设备的市场需求。

工作电压为36V、输出电流为1A的DC-DC转换器。

制造商:Cree, Inc. 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:SiC 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-263-7 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:900 V Id-连续漏极电流:35 A Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 18 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V Qg-栅极电荷:30 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:113 W 通道模式:Enhancement 封装:Tube 配置:Single 产品:Power MOSFETs 类型:Silicon Carbide MOSFET 商标:Wolfspeed / Cree 正向跨导 - 最小值:11.6 S 下降时间:5 ns 湿度敏感性:Yes 产品类型:MOSFET 上升时间:6.5 ns 工厂包装数量:50 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:15 ns 典型接通延迟时间:7.2 ns 单位重量:1.600 g

多功能新型30 V n沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN,提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。

Vishay Siliconix SiSS52DN采用热增强型3.3 mm x 3.3 mmPowerPAK® 1212-8S封装,10 V条件下导通电阻仅为0.95 mW,比上一代产品低5 %。

4.5 V条件下器件导通电阻为1.5 mW,而4.5 V条件下导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为29.8 mW*nC,是市场上优值系数最低的产品之一。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

用于汽车的S-19914/5系列低EMI降压开关稳压器。

新产品S-19914/5系列是一款低EMI降压开关稳压器,内置扩频时钟生成电路(*1),可减少集成电路(IC)产生的传导噪音和辐射噪音。

产品可将传导噪音降低到之前型号的1/3。S-19914/5系列采用业界最小的(*2) HSNT-8(2030)封装(2.0×3.0×t0.5mm),有助于缩小摄像头模块的尺寸,并能满足当前汽车设备的市场需求。

工作电压为36V、输出电流为1A的DC-DC转换器。

制造商:Cree, Inc. 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:SiC 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-263-7 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:900 V Id-连续漏极电流:35 A Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 18 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V Qg-栅极电荷:30 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:113 W 通道模式:Enhancement 封装:Tube 配置:Single 产品:Power MOSFETs 类型:Silicon Carbide MOSFET 商标:Wolfspeed / Cree 正向跨导 - 最小值:11.6 S 下降时间:5 ns 湿度敏感性:Yes 产品类型:MOSFET 上升时间:6.5 ns 工厂包装数量:50 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:15 ns 典型接通延迟时间:7.2 ns 单位重量:1.600 g

多功能新型30 V n沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN,提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。

Vishay Siliconix SiSS52DN采用热增强型3.3 mm x 3.3 mmPowerPAK® 1212-8S封装,10 V条件下导通电阻仅为0.95 mW,比上一代产品低5 %。

4.5 V条件下器件导通电阻为1.5 mW,而4.5 V条件下导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为29.8 mW*nC,是市场上优值系数最低的产品之一。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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