电源装置80 Plus钛金标准的快速连接器或D-SUB连接器
发布时间:2021/5/26 7:22:30 访问次数:231
Bel的六款钛金级效率电源采用了Transphorm的高压GaN场效应晶体管(FET)。
从这一消息可以看出，在数据中心服务器、路由器和网络交换机中部署高性能、宽带隙电源装置已呈不断增长的趋势。
整个系列在高电压下的效率超过96%，主输出电压为12 VDC（直流电压），这些电源装置也因此达到80 Plus钛金标准。
TADF技术正在激起一条新的OLED发光材料的创新轨道,能率先推出我们的cyUltimateGreen产品。
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS: 详细信息
类型: SDRAM
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: BGA-90
数据总线宽度: 32 bit
组织: 16 M x 32
存储容量: 512 Mbit
最大时钟频率: 167 MHz
访问时间: 6 ns
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 3 V
电源电流—最大值: 245 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
系列: IS42S32160F
封装: Tray
商标: ISSI
湿度敏感性: Yes
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 240
子类别: Memory & Data Storage
单位重量: 203 mg
产品还与BT2020标准兼容，其要求比DCI-P3更高的颜色纯度，并且会显著提高颜色深度。
这一里程碑带来了材料技术的突破，将有助于显示器制造商充分发挥新一代OLED产品的效率潜能，并催化颠覆性的OLED产品。
坚固耐用的军用级设计采用紧凑的、环保的、SMA连接器封装，并具有用于直流和控制功能的快速连接器或D-SUB连接器。
OLED器件中发光的位置称为发光层。层内有红色、绿色和蓝色像素。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
Bel的六款钛金级效率电源采用了Transphorm的高压GaN场效应晶体管(FET)。
从这一消息可以看出，在数据中心服务器、路由器和网络交换机中部署高性能、宽带隙电源装置已呈不断增长的趋势。
整个系列在高电压下的效率超过96%，主输出电压为12 VDC（直流电压），这些电源装置也因此达到80 Plus钛金标准。
TADF技术正在激起一条新的OLED发光材料的创新轨道,能率先推出我们的cyUltimateGreen产品。
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS: 详细信息
类型: SDRAM
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: BGA-90
数据总线宽度: 32 bit
组织: 16 M x 32
存储容量: 512 Mbit
最大时钟频率: 167 MHz
访问时间: 6 ns
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 3 V
电源电流—最大值: 245 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
系列: IS42S32160F
封装: Tray
商标: ISSI
湿度敏感性: Yes
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 240
子类别: Memory & Data Storage
单位重量: 203 mg
产品还与BT2020标准兼容，其要求比DCI-P3更高的颜色纯度，并且会显著提高颜色深度。
这一里程碑带来了材料技术的突破，将有助于显示器制造商充分发挥新一代OLED产品的效率潜能，并催化颠覆性的OLED产品。
坚固耐用的军用级设计采用紧凑的、环保的、SMA连接器封装，并具有用于直流和控制功能的快速连接器或D-SUB连接器。
OLED器件中发光的位置称为发光层。层内有红色、绿色和蓝色像素。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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