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电源装置80 Plus钛金标准的快速连接器或D-SUB连接器

发布时间:2021/5/26 7:22:30 访问次数:210


Bel的六款钛金级效率电源采用了Transphorm的高压GaN场效应晶体管(FET)。

从这一消息可以看出,在数据中心服务器、路由器和网络交换机中部署高性能、宽带隙电源装置已呈不断增长的趋势。

整个系列在高电压下的效率超过96%,主输出电压为12 VDC(直流电压),这些电源装置也因此达到80 Plus钛金标准。

TADF技术正在激起一条新的OLED发光材料的创新轨道,能率先推出我们的cyUltimateGreen产品。

制造商: ISSI


产品种类: 动态随机存取存储器

RoHS: 详细信息

类型: SDRAM

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: BGA-90

数据总线宽度: 32 bit

组织: 16 M x 32

存储容量: 512 Mbit

最大时钟频率: 167 MHz

访问时间: 6 ns

电源电压-最大: 3.6 V

电源电压-最小: 3 V

电源电流—最大值: 245 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

系列: IS42S32160F

封装: Tray

商标: ISSI

湿度敏感性: Yes

产品类型: DRAM

工厂包装数量: 240

子类别: Memory & Data Storage

单位重量: 203 mg


产品还与BT2020标准兼容,其要求比DCI-P3更高的颜色纯度,并且会显著提高颜色深度。

这一里程碑带来了材料技术的突破,将有助于显示器制造商充分发挥新一代OLED产品的效率潜能,并催化颠覆性的OLED产品。

坚固耐用的军用级设计采用紧凑的、环保的、SMA连接器封装,并具有用于直流和控制功能的快速连接器或D-SUB连接器。



OLED器件中发光的位置称为发光层。层内有红色、绿色和蓝色像素。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)



Bel的六款钛金级效率电源采用了Transphorm的高压GaN场效应晶体管(FET)。

从这一消息可以看出,在数据中心服务器、路由器和网络交换机中部署高性能、宽带隙电源装置已呈不断增长的趋势。

整个系列在高电压下的效率超过96%,主输出电压为12 VDC(直流电压),这些电源装置也因此达到80 Plus钛金标准。

TADF技术正在激起一条新的OLED发光材料的创新轨道,能率先推出我们的cyUltimateGreen产品。

制造商: ISSI


产品种类: 动态随机存取存储器

RoHS: 详细信息

类型: SDRAM

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: BGA-90

数据总线宽度: 32 bit

组织: 16 M x 32

存储容量: 512 Mbit

最大时钟频率: 167 MHz

访问时间: 6 ns

电源电压-最大: 3.6 V

电源电压-最小: 3 V

电源电流—最大值: 245 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

系列: IS42S32160F

封装: Tray

商标: ISSI

湿度敏感性: Yes

产品类型: DRAM

工厂包装数量: 240

子类别: Memory & Data Storage

单位重量: 203 mg


产品还与BT2020标准兼容,其要求比DCI-P3更高的颜色纯度,并且会显著提高颜色深度。

这一里程碑带来了材料技术的突破,将有助于显示器制造商充分发挥新一代OLED产品的效率潜能,并催化颠覆性的OLED产品。

坚固耐用的军用级设计采用紧凑的、环保的、SMA连接器封装,并具有用于直流和控制功能的快速连接器或D-SUB连接器。



OLED器件中发光的位置称为发光层。层内有红色、绿色和蓝色像素。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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