典型的组合线性控制斜率为16dB/V(5V工作)铁氧体磁芯结构
发布时间:2021/5/25 8:33:09 访问次数:232
两个衰减器采用共同的确模拟控制,可以级联起来以得到44.7dB的总衰减,典型的组合线性控制斜率为16dB/V(5V工作).
片上4线SPI控制的10位DAC能用来控制两个衰减器.MAX19794是单片器件,采用该公司的专有的SiGeBiCMOS工艺,工作单5V电压或+3.3V电压.
器件具有高度线性度,整个衰减范围内IIP3大于+34.4dBm,输入P1dB为+21.8dBm.采用36引脚6mmx6mmx0,8mm TQFN封装,工作温度为-40NC到+100NC.
规范
尺寸代码：0603
额定电感：6.8μH±20%至10μH±20%
电感测试频率：1MHz
额定电流：100mA至120mA
直流电阻：1.37Ω（最大值）
铁氧体磁芯结构
自谐振频率：32MHz至40MHz
工作温度范围：-55°C至+150°C
两个衰减器采用共同的确模拟控制,可以级联起来以得到44.7dB的总衰减,典型的组合线性控制斜率为16dB/V(5V工作).
片上4线SPI控制的10位DAC能用来控制两个衰减器.MAX19794是单片器件,采用该公司的专有的SiGeBiCMOS工艺,工作单5V电压或+3.3V电压.
器件具有高度线性度,整个衰减范围内IIP3大于+34.4dBm,输入P1dB为+21.8dBm.采用36引脚6mmx6mmx0,8mm TQFN封装,工作温度为-40NC到+100NC.
规范
尺寸代码：0603
额定电感：6.8μH±20%至10μH±20%
电感测试频率：1MHz
额定电流：100mA至120mA
直流电阻：1.37Ω（最大值）
铁氧体磁芯结构
自谐振频率：32MHz至40MHz
工作温度范围：-55°C至+150°C
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