低工作电流(9mA)和降功耗电流(10nA)33dB校准图相抑制
发布时间:2021/5/24 18:48:50 访问次数:325
MAX41473/MAX41474是290MHz到960MHz高性能低功耗ASK/FSK接收器.
接收器采用单个低成本16MHz晶体可配置成三个受欢迎的亚GHz波段:287MHz到320MHz,425MHz到480MHz和860MHz到960MHz.
接收器具有极好的灵敏度,允许RF输入时的输入信号高达0dBm.
器件集成了IF滤波器,仅有几个外接元件,具有低工作电流(9mA)和降功耗电流(10nA),非常适合于低成本和功耗敏感的应用.
制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:115 mA Rds On-漏源导通电阻:7.5 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:300 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:0.94 mm 长度:2.9 mm 产品:MOSFET Small Signal 系列:2N7002L 晶体管类型:1 N-Channel 类型:MOSFET 宽度:1.3 mm 商标:ON Semiconductor 正向跨导 - 最小值:80 mS 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:40 ns 典型接通延迟时间:20 ns 单位重量:8 mg
为了进行波形的生成和采集，hybridNETBOX配有大容量板载内存(2×4 GB)，并支持多种操作模式。其中包括单脉冲、循环、FIFO流、门式回放和多重记录。
器件具有33dB校准图相抑制,LNA输入具有±2.5kV HBM ESD 保护和±4kV.
这样的灵活性便于用户生成几乎任何信号或信号的组合，并开发从简单到复杂的各类测试流程。同样，信号可通过单脉冲、FIFO流、多重记录、门式采样、ABA（采样率切换）模式完成。
采用10×10mm 88-VFQFPN封装,工作温度-40C到+105C.主要用于无线基础设备5G无线电.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
MAX41473/MAX41474是290MHz到960MHz高性能低功耗ASK/FSK接收器.
接收器采用单个低成本16MHz晶体可配置成三个受欢迎的亚GHz波段:287MHz到320MHz,425MHz到480MHz和860MHz到960MHz.
接收器具有极好的灵敏度,允许RF输入时的输入信号高达0dBm.
器件集成了IF滤波器,仅有几个外接元件,具有低工作电流(9mA)和降功耗电流(10nA),非常适合于低成本和功耗敏感的应用.
制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:115 mA Rds On-漏源导通电阻:7.5 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:300 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:0.94 mm 长度:2.9 mm 产品:MOSFET Small Signal 系列:2N7002L 晶体管类型:1 N-Channel 类型:MOSFET 宽度:1.3 mm 商标:ON Semiconductor 正向跨导 - 最小值:80 mS 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:40 ns 典型接通延迟时间:20 ns 单位重量:8 mg
为了进行波形的生成和采集，hybridNETBOX配有大容量板载内存(2×4 GB)，并支持多种操作模式。其中包括单脉冲、循环、FIFO流、门式回放和多重记录。
器件具有33dB校准图相抑制,LNA输入具有±2.5kV HBM ESD 保护和±4kV.
这样的灵活性便于用户生成几乎任何信号或信号的组合，并开发从简单到复杂的各类测试流程。同样，信号可通过单脉冲、FIFO流、多重记录、门式采样、ABA（采样率切换）模式完成。
采用10×10mm 88-VFQFPN封装,工作温度-40C到+105C.主要用于无线基础设备5G无线电.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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