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输入ESD器件受损驱动器的GND和控制芯片GND偏置电压

发布时间:2021/5/18 13:14:55 访问次数:562

输入负压的场景与对MOSFET进行电流采样相关。为了实现更精确的控制，有时在功率MOSFET和大地之间会接一个采样电阻.

这样驱动器的GND和控制芯片GND之间就会存在一个偏置电压，因此控制芯片输出低电平时，相对于驱动器的输入端，则有一个负向的偏置电压。

对于寄生电感引起的输入瞬间负压，一般有三种应对方案。可以通过减小开关速度来降低影响，减小开关速度能降低电流变化速率di/dt，瞬间负压幅度也就会下降。

制造商:ON Semiconductor 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 通道数量:2 Channel 电源电压-最大:32 V, +/- 16 V GBP-增益带宽产品:1 MHz 每个通道的输出电流:40 mA SR - 转换速率 :600 mV/us Vos - 输入偏置电压 :3 mV 电源电压-最小:3 V, +/- 1.5 V 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C Ib - 输入偏流:100 nA 工作电源电流:1.2 mA 关闭:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:65 dB 系列: 资格:AEC-Q100 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 放大器类型:Low Power Amplifier 高度:1.5 mm 长度:5 mm 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Single, Dual 技术:Bipolar 宽度:4 mm 商标:ON Semiconductor 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V 最大双重电源电压:+/- 16 V 最小双重电源电压:+/- 1.5 V 工作电源电压:3 V to 32 V, +/- 1.5 V to +/- 16 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 电源抑制比:65 dB 2500 子类别:Amplifier ICs Vcm - 共模电压:Negative Rail to Positive Rail - 1.5 V 电压增益 dB:100 dB 单位重量:540 mg

负向电压与寄生电感和电流变化率均成正比。

在典型的低边栅极驱动电路中，虽然控制器和功率MOSFET使用同一个直流地平面作为参考，但一些情况下，由于驱动器和控制器有一定距离，所以总会存在寄生电感。

高di/dt的电流在流经MOSFET及其板级回路时，寄生电感存在会导致驱动器的地电位相对于控制器地电位瞬间抬升，驱动器的输入和地之间就相当于出现一个瞬间负压。

在极端情况下，可能造成驱动器内部 ，驱动器出现失效。


(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）

输入负压的场景与对MOSFET进行电流采样相关。为了实现更精确的控制，有时在功率MOSFET和大地之间会接一个采样电阻.

这样驱动器的GND和控制芯片GND之间就会存在一个偏置电压，因此控制芯片输出低电平时，相对于驱动器的输入端，则有一个负向的偏置电压。

对于寄生电感引起的输入瞬间负压，一般有三种应对方案。可以通过减小开关速度来降低影响，减小开关速度能降低电流变化速率di/dt，瞬间负压幅度也就会下降。

制造商:ON Semiconductor 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 通道数量:2 Channel 电源电压-最大:32 V, +/- 16 V GBP-增益带宽产品:1 MHz 每个通道的输出电流:40 mA SR - 转换速率 :600 mV/us Vos - 输入偏置电压 :3 mV 电源电压-最小:3 V, +/- 1.5 V 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C Ib - 输入偏流:100 nA 工作电源电流:1.2 mA 关闭:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:65 dB 系列: 资格:AEC-Q100 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 放大器类型:Low Power Amplifier 高度:1.5 mm 长度:5 mm 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Single, Dual 技术:Bipolar 宽度:4 mm 商标:ON Semiconductor 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V 最大双重电源电压:+/- 16 V 最小双重电源电压:+/- 1.5 V 工作电源电压:3 V to 32 V, +/- 1.5 V to +/- 16 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 电源抑制比:65 dB 2500 子类别:Amplifier ICs Vcm - 共模电压:Negative Rail to Positive Rail - 1.5 V 电压增益 dB:100 dB 单位重量:540 mg

负向电压与寄生电感和电流变化率均成正比。

在典型的低边栅极驱动电路中，虽然控制器和功率MOSFET使用同一个直流地平面作为参考，但一些情况下，由于驱动器和控制器有一定距离，所以总会存在寄生电感。

高di/dt的电流在流经MOSFET及其板级回路时，寄生电感存在会导致驱动器的地电位相对于控制器地电位瞬间抬升，驱动器的输入和地之间就相当于出现一个瞬间负压。

在极端情况下，可能造成驱动器内部 ，驱动器出现失效。


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