集成式快速开关50 A IGBT的关断性能优于纯硅解决方案，可与MOSFET媲美。

较之常规的碳化硅MOSFET，这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间，能以更低成本实现95％至97％的系统效率。

此外，CoolSiC肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。相比纯硅设计而言，该器件是实现硬换向的理想器件，损耗可降低30%。

由于具有较低的冷却要求，该二极管还能降低系统成本，带来极佳的性价比优势。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 67 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 38 S

下降时间: 7 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 26 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 37 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

零件号别名: BSC67N6LS3GXT SP000451084 BSC067N06LS3GATMA1

单位重量: 100 mg

功率模块含有功率MOSFET和先进的驱动IC。为提高能效，器件内部MOSFET采用先进的TrenchFET® Gen IV技术，这一技术确立行业性能基准，显著降低开关和传导损耗。

SiC8xx智能功率模块各种应用条件下峰值能效可达93 %以上。轻载时可启用二极管仿真模式，提高全负载范围的效率。

对于应用产品来说，这些优势不仅有助于节省空间，而且还可以通过高密度安装高亮度LED来提高设计灵活性和视认性，并有助于减少开发工时。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）