MCU支持安全标准IEC60730的硬件,也可提供RL78系列开发工具. RAJ306001的工作电压为6V到30V,

RAJ306010工作电压为6V 到 42V,而RAJ3060xxGNP工作温度-40 到 +85C, RAJ3060xxZGNP工作温度为-40 到 +105C.主要用在电动工具,花园工具和真空清洁器以及打印机,风扇,泵和机器人.

工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性。这降低了漏源导通电阻x栅极开关电荷的值（开关应用的品质因数）。

工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性。这降低了漏源导通电阻x栅极开关电荷值（开关应用的品质因数）。

制造商: Infineon

产品种类: 电源开关 IC - 配电

RoHS: N

类型: High Side

输出电流: 115 A

电流限制: 220 A

导通电阻—最大值: 2.8 mOhms

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-218AB-5

封装: Tube

产品: Power Switches

商标: Infineon Technologies

Pd-功率耗散: 360000 mW

产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution

工厂包装数量: 250

子类别: Switch ICs

零件号别名: SP000011264 BTS550PE3146NK BTS55PE3146XK BTS550PE3146NKSA1

10款适用于工业设备开关电源的新一代80 V N沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。

共提供三种类型的封装： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用双列直插式封装TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用绝缘型直插式封装TO-220SIS；以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用贴片式封装DPAK。

新产品采用新一代具有低压沟槽结构的U-MOSⅩ-H工艺，具有业内领先的[1]低漏源导通电阻。这减少了导通损耗，有助于降低设备的功耗。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）