额定功率10W级产品中尺寸超小的磁性组件和散热器
发布时间:2021/5/1 11:19:41 访问次数:524
ROHM自有的材料和结构，与普通产品相比，成功地抑制了23％的表面温升，因此，该产品不仅在额定功率10W级产品中尺寸超小，而且在承受过电流负载时表现出出色的耐用性。
产品的电阻体金属采用高性能合金材料，即使在低阻值范围也具有出色的电阻温度系数（TCR※1），从而能够进行高精度且高度可靠的电流检测。
大功率分流电阻器获得高度好评的“PSR系列”，通过施以引脚温度降额，将额定功率的保证值扩展至最大15W，并且还改善了电阻温度系数的规格值。
制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:音频放大器 系列: 产品:Audio Amplifiers 类:Class-AB 输出功率:77 mW 安装风格:SMD/SMT 类型:2-Channel Stereo 封装 / 箱体:SOP-8 音频 - 负载阻抗:32 Ohms THD + 噪声:0.05 % 电源电压-最大:6.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最小工作温度:- 25 C 最大工作温度:+ 75 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 描述/功能:Headphone 高度:1.5 mm 输入类型:Single 长度:5 mm 电源类型:Single 宽度:4.4 mm 商标:ROHM Semiconductor 增益:6 dB 通道数量:2 Channel 工作电源电流:3.7 mA 工作电源电压:5 V 输出信号类型:Single Pd-功率耗散:550 mW 产品类型:Audio Amplifiers PSRR - 电源抑制比:57 dB 2500 子类别:Audio ICs 零件号别名:BH3547F 单位重量:851 mg
GaN晶体管开关性能出色，工作频率更高，能效更高，散热发热更少，设计人员可以选用尺寸更小的磁性组件和散热器，设计更小、更轻的电源、充电器和适配器。
MasterGaN4非常适用于对称半桥拓扑以及软开关拓扑，有源钳位反激式和有源钳位正激式变换器。
内置保护功能包括栅极驱动器互锁、高低边欠压锁定(UVLO)以及过热保护，可进一步简化应用设计。还有一个专用的关断引脚。
4.75V-9.5V的宽电源电压方便MasterGaN4连接到现有电源轨。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
ROHM自有的材料和结构，与普通产品相比，成功地抑制了23％的表面温升，因此，该产品不仅在额定功率10W级产品中尺寸超小，而且在承受过电流负载时表现出出色的耐用性。
产品的电阻体金属采用高性能合金材料，即使在低阻值范围也具有出色的电阻温度系数（TCR※1），从而能够进行高精度且高度可靠的电流检测。
大功率分流电阻器获得高度好评的“PSR系列”，通过施以引脚温度降额，将额定功率的保证值扩展至最大15W，并且还改善了电阻温度系数的规格值。
制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:音频放大器 系列: 产品:Audio Amplifiers 类:Class-AB 输出功率:77 mW 安装风格:SMD/SMT 类型:2-Channel Stereo 封装 / 箱体:SOP-8 音频 - 负载阻抗:32 Ohms THD + 噪声:0.05 % 电源电压-最大:6.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最小工作温度:- 25 C 最大工作温度:+ 75 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 描述/功能:Headphone 高度:1.5 mm 输入类型:Single 长度:5 mm 电源类型:Single 宽度:4.4 mm 商标:ROHM Semiconductor 增益:6 dB 通道数量:2 Channel 工作电源电流:3.7 mA 工作电源电压:5 V 输出信号类型:Single Pd-功率耗散:550 mW 产品类型:Audio Amplifiers PSRR - 电源抑制比:57 dB 2500 子类别:Audio ICs 零件号别名:BH3547F 单位重量:851 mg
GaN晶体管开关性能出色，工作频率更高，能效更高，散热发热更少，设计人员可以选用尺寸更小的磁性组件和散热器，设计更小、更轻的电源、充电器和适配器。
MasterGaN4非常适用于对称半桥拓扑以及软开关拓扑，有源钳位反激式和有源钳位正激式变换器。
内置保护功能包括栅极驱动器互锁、高低边欠压锁定(UVLO)以及过热保护，可进一步简化应用设计。还有一个专用的关断引脚。
4.75V-9.5V的宽电源电压方便MasterGaN4连接到现有电源轨。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-17双音频(DTMF)发生器HT9200AB
- 5-17第三代TPG3AD1S09 905 nm脉冲激光二极管
- 5-17全新X-Cite TETREM LED光源特点应用
- 5-17全球半导体市场规模及发展前景分析
- 5-17铁基液流电池（Iron-based Flow Battery， I
- 5-17板对板连接器SFM-103-T1-S-D-LC-K-TR
- 5-16相变存储器（PCM）技术Stellar P 和 G
- 5-16新一代可动态调整存储配置存储器应用详解
- 5-16第13代英特尔酷睿处理器工作原理
- 5-16CPU+GPU+NPU构成酷睿Ultra芯片
- 5-16CMOS图像传感器芯片应用前景分析
- 5-16HDR10 + 和 Dolby Vision 技术探究
公网安备44030402000607
