一种基于轻质AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM），以满足航空和其他特殊工业应用中针对自然空气对流或背板冷却的需求。

此项高温芯片和模块技术平台亦将大力推动电动汽车动力总成系统（电机、电控及变速箱)的深度整合,以使其体积、重量及相应成本大幅降低，并实现最佳能源效率。

CISSOID的IPM技术平台可迅速适应新的电压、功率和冷却要求，极大地加速了基于SiC的功率转换器的设计，从而实现了高效率和高功率密度。

制造商:Rectron 产品种类:稳压二极管 Vz - 齐纳电压:22 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 Pd-功率耗散:350 mW 电压温度系数:20 mV/C Zz - 齐纳阻抗:55 Ohms 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 配置:Single 测试电流:5 mA 封装:Reel 高度:1.1 mm 长度:3.05 mm 宽度:1.4 mm 商标:Rectron Ir - 反向电流 :0.1 uA 产品类型:Zener Diodes 工厂包装数量3000 子类别:Diodes & Rectifiers Vf - 正向电压:900 mV

CISSOID 实现了功率模块和栅极驱动器的整体融合设计，且可通过仔细调整dv/dt去实现控制，通过快速切换所固有的电压过冲来优化IPM，从而将开关能量损耗降至最低。

该模块的安全运行区域（RBSOA）允许直流总线电压高达880V、峰值电流高达600A，从而使得800V电池电压系统的应用是绝对安全的。

CISSOID提供的高温芯片和模块技术，已在石油钻探等领域内的长期应用中得到了充分的验证，可以满足业内最苛刻的应用需求。