低压降电压稳压器IFX1763XEJV50真随机数发生器
发布时间:2021/4/24 0:13:33 访问次数:273
100W马达驱动评估板,主要包括600V CoolMOS PFD7 SJ功率器件IPN60R2K0PFD7S和600V 高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器.
此外还包括基于ARM® Cortex®-M0的XMC1302-T038X0200 32位MCU,准谐振CoolSET™反激控制器ICE5QR4770AG,低压降电压稳压器IFX1763XEJV50以及P沟MOSFET BSS314PE和N沟MOSFET BSS138N.
评估板EVAL_FAN_XMC_PFD7采用AC输入电压,最大输出功率为100W,能驱动FOC无传感器模式的三相BLDC/PMSM马达,适合风扇和泵的应用.
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel®
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
28A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),69W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6
封装/外壳
8-PowerTDFN
漏源电压(Vdss)
30V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2600pF @ 15V
基本产品编号
BSC0901
瑞萨32位RX65N是具备安全性、连接性和人机界面(HMI)功能的通用MCU,适用于工业和物联网设备等应用。RX65N集成了已通过CAVP认证的瑞萨Trusted Secure IP(TSIP)模块。
TSIP包含支持AES、SHA、RSA及ECC的加密引擎、真随机数发生器(TRNG)和高级密钥管理,可打造强大的安全功能。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
100W马达驱动评估板,主要包括600V CoolMOS PFD7 SJ功率器件IPN60R2K0PFD7S和600V 高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器.
此外还包括基于ARM® Cortex®-M0的XMC1302-T038X0200 32位MCU,准谐振CoolSET™反激控制器ICE5QR4770AG,低压降电压稳压器IFX1763XEJV50以及P沟MOSFET BSS314PE和N沟MOSFET BSS138N.
评估板EVAL_FAN_XMC_PFD7采用AC输入电压,最大输出功率为100W,能驱动FOC无传感器模式的三相BLDC/PMSM马达,适合风扇和泵的应用.
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel®
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
28A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),69W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6
封装/外壳
8-PowerTDFN
漏源电压(Vdss)
30V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2600pF @ 15V
基本产品编号
BSC0901
瑞萨32位RX65N是具备安全性、连接性和人机界面(HMI)功能的通用MCU,适用于工业和物联网设备等应用。RX65N集成了已通过CAVP认证的瑞萨Trusted Secure IP(TSIP)模块。
TSIP包含支持AES、SHA、RSA及ECC的加密引擎、真随机数发生器(TRNG)和高级密钥管理,可打造强大的安全功能。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)