技术已通过十亿个雪崩周期测试，可用于汽车感性负载控制，例如电磁阀和执行器。除了提供更快的关断时间（高达4倍）外，该技术还能通过减少BOM数量简化设计。

在汽车动力总成中的电磁阀和执行器控制领域，基于MOSFET的电源方案通常围绕着升压、续流二极管或主动钳位拓扑结构进行构建。

Nexperia汽车重复雪崩ASFET产品系列专为解决此问题而开发，能够提供经过十亿个周期测试的可靠重复雪崩功能。  

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:650 V Id-连续漏极电流:68.5 A Rds On-漏源导通电阻:37 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V Qg-栅极电荷:300 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:500 W 通道模式:Enhancement 封装:Tube 配置:Single 高度:21.1 mm 长度:16.13 mm 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:5.21 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:8 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:28 ns 工厂包装数量240 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:127 ns 典型接通延迟时间:34 ns 零件号别名:IPW65R41CFDXK SP000756288 IPW65R041CFDFKSA1 单位重量:38 g

这种额外的处理能力现在将使耳塞制造商能够提供自适应主动降噪和支持使用唤醒词来主动Alexa或谷歌助理等功能。

新的芯片组现在还支持高通的aptX Adaptive，音频分辨率高达96kHz，支持aptX Voice，用于3个麦克风的回声消除和噪音抑制，以便在用户在旅途中实现更清晰的通话。

尽管功率增加了，但高通也承诺可以提供全天的电池续航时间，不过，最后还是要看各个厂商如何对自己的设备进行相应的调整。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）