转模封装的1200 V碳化硅（SiC）集成功率模块（IPM），并在今年大规模推出了SiC解决方案。

CIPOS™Maxi IPM IM828系列是业界在这一电压级别上的第一款产品。这使其成为1200 V IPM的最小封装，具有同类产品中最高的功率密度和最佳性能。

IM828系列的隔离双列直插式封装具有出色的热性能和电气隔离性，满足高要求设计的EMI和过载保护要求。

凭借其多功能引脚，该IPM可针对不同用途提供高度的设计灵活性。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 7.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 23 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 30 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3M

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 26 S

下降时间: 2.4 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 2.8 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 16 ns

典型接通延迟时间: 3.8 ns

零件号别名: SP000311510 BSZ1N3MSGXT BSZ100N03MSGATMA1

单位重量: 36.060 mg

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