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半桥器件和栅极驱动器加上8kV的高ESD额定值

发布时间:2021/4/4 16:47:01 访问次数:347

这些采用严格设计流程开发出的装置已通过ISO 26262 ASIL-B认证,根据ISO 26262标准进行安全分析。

Diodes 采用先进的斩波器稳定设计,在 2.7V 至 27V 的操作电压及 -40˚C 至 +150˚C 的温度范围内,磁性操作点与释放点 (BOP/BRP) 具有绝佳的稳定性。

这种稳定性,加上 8kV 的高 ESD 额定值、内建反向阻断二极管和电源引脚齐纳箝位,使得 AH32xxQ 系列能够满足汽车近接/位置感测产品应用的严苛要求。

所有 AH32xxQ 装置皆采用 SC59 封装。符合 AEC-Q100 等级规范,由 IATF 16949 认证的设施制造,并支持 PPAP 文件。

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:1.4 A Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:3.2 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:625 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.02 mm 长度:3.04 mm 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:1 N-Channel 类型:MOSFET 宽度:1.4 mm 商标:Diodes Incorporated 正向跨导 - 最小值:2.3 S 下降时间:2 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:1.4 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:4.9 ns 典型接通延迟时间:1.8 ns 单位重量:8 mg

氮化镓集成电路技术的迅猛发展推动了半桥器件和栅极驱动器的集成,EPC9151模块就是采用了单芯片解决方案(EPC2152),从而针对各种目标应用,简化布局、减小面积并降低成本。

氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)和集成电路具备快速开关、小尺寸和低成本等优势,以满足前沿计算应用对功率密度的严格要求。

EPC9151是很好的范例,它展示如何利用集成功率级EPC2152,满足计算应用中48 V转换所要求的提高功率密度并降低系统成本。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


这些采用严格设计流程开发出的装置已通过ISO 26262 ASIL-B认证,根据ISO 26262标准进行安全分析。

Diodes 采用先进的斩波器稳定设计,在 2.7V 至 27V 的操作电压及 -40˚C 至 +150˚C 的温度范围内,磁性操作点与释放点 (BOP/BRP) 具有绝佳的稳定性。

这种稳定性,加上 8kV 的高 ESD 额定值、内建反向阻断二极管和电源引脚齐纳箝位,使得 AH32xxQ 系列能够满足汽车近接/位置感测产品应用的严苛要求。

所有 AH32xxQ 装置皆采用 SC59 封装。符合 AEC-Q100 等级规范,由 IATF 16949 认证的设施制造,并支持 PPAP 文件。

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:1.4 A Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:3.2 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:625 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.02 mm 长度:3.04 mm 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:1 N-Channel 类型:MOSFET 宽度:1.4 mm 商标:Diodes Incorporated 正向跨导 - 最小值:2.3 S 下降时间:2 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:1.4 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:4.9 ns 典型接通延迟时间:1.8 ns 单位重量:8 mg

氮化镓集成电路技术的迅猛发展推动了半桥器件和栅极驱动器的集成,EPC9151模块就是采用了单芯片解决方案(EPC2152),从而针对各种目标应用,简化布局、减小面积并降低成本。

氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)和集成电路具备快速开关、小尺寸和低成本等优势,以满足前沿计算应用对功率密度的严格要求。

EPC9151是很好的范例,它展示如何利用集成功率级EPC2152,满足计算应用中48 V转换所要求的提高功率密度并降低系统成本。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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