正/余弦增益失调和偏移补偿混合PIN Schottky(MPS)结构设计
发布时间:2021/4/1 20:16:04 访问次数:586
650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。
Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，通过降低开关损耗提升高频应用能效，不受温度变化的影响—从而使二极管能够在更高的温度下工作。
MPS二极管可屏蔽肖特基势垒产生的电场,减少漏电流,同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比，新型二极管处理电流相同的情况下，正向压降仅略有上升，坚固程度明显提高。
二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装，额定电流为4 A~40 A，可在+175 °C高温下工作。
IPS2550的关键特性
高度灵活性和可扩展性（基于电机极对数），支持轴端、离轴和轴侧对齐
经AEC-Q100认证，能够在恶劣环境和-40°至+160°C的环境温度下稳定运行
正/余弦增益失调和偏移补偿，提高精度与生产稳定性
转速：最高600krpm（电周期）
瑞萨电子还提供各种现成工具，无论是刚刚接触传感器的新手还是电机换向领域专家都可借助它们轻松创建量身定制的传感元件。
650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。
Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，通过降低开关损耗提升高频应用能效，不受温度变化的影响—从而使二极管能够在更高的温度下工作。
MPS二极管可屏蔽肖特基势垒产生的电场,减少漏电流,同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比，新型二极管处理电流相同的情况下，正向压降仅略有上升，坚固程度明显提高。
二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装，额定电流为4 A~40 A，可在+175 °C高温下工作。
IPS2550的关键特性
高度灵活性和可扩展性（基于电机极对数），支持轴端、离轴和轴侧对齐
经AEC-Q100认证，能够在恶劣环境和-40°至+160°C的环境温度下稳定运行
正/余弦增益失调和偏移补偿，提高精度与生产稳定性
转速：最高600krpm（电周期）
瑞萨电子还提供各种现成工具，无论是刚刚接触传感器的新手还是电机换向领域专家都可借助它们轻松创建量身定制的传感元件。
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