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传感器在1Hz数据速率下的功耗仅为3.2 mA(典型值)

发布时间:2021/3/30 6:39:52 访问次数:635

高性能固态硬盘PM9A3 U.2。PM9A3 U.2支持PCIe 4.0,是三星半导体专为中国数据中心客户打造,此举彰显了三星半导体计划进一步加强与中国企业合作的决心。

除民用电能计量外,EVALSTPM-3PHISO还是一个工业级多相交流电能计量参考设计,例如,电动汽车充电、服务器和太阳能逆变器。

它的相对精度为+/- 8 Pa,绝对精度为+/- 40 Pa,温度系数偏移(TCO)为+/- 1.0 Pa/K。更重要的是,该传感器在1 Hz数据速率下的功耗仅为3.2 mA(典型值),对便携式设备电池的负荷极低。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 跨阻抗放大器

RoHS: 详细信息

系列: ACF2101

通道数量: 2 Channel

SR - 转换速率 : 3 V/us

Ib - 输入偏流: 0.1 pA

Vos - 输入偏置电压 : 2 mV

电源电压-最大: 36 V

电源电压-最小: 4.5 V

工作电源电流: 5.2 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-24

封装: Tube

放大器类型: Switched Integrator

产品: Transimpedance Amplifiers

商标: Texas Instruments

输入电压范围—最大: +/- 18 V

关闭: No Shutdown

湿度敏感性: Yes

工作电源电压: +/- 4.5 V to +/- 18 V

Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)

产品类型: Transimpedance Amplifiers

PSRR - 电源抑制比: 80 dB

工厂包装数量: 25

子类别: Amplifier ICs

单位重量: 624.400 mg

PM9A3 U.2的4K稳态随机读取性能为1100K IOPS,顺序读取速度为6900MB/s,相对上一代产品PM983 U.2分别提升2.2倍和2.16倍.

并且,在每瓦304MB/s的顺序写入性能表现中,与前代产品相比,能效比提高了61%。

PM9A3 U.2是三星首个采用第六代3D闪存(V-NAND)技术并支持 PCIe4.0的NVMe固态硬盘产品,符合

从量产PM9A3 U.2开始,三星半导体将继续加强与全球数据中心客户合作,不断推进新一代存储技术的发展和标准化,以迎接全面开放的5G时代和不断变化的生活方式。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

高性能固态硬盘PM9A3 U.2。PM9A3 U.2支持PCIe 4.0,是三星半导体专为中国数据中心客户打造,此举彰显了三星半导体计划进一步加强与中国企业合作的决心。

除民用电能计量外,EVALSTPM-3PHISO还是一个工业级多相交流电能计量参考设计,例如,电动汽车充电、服务器和太阳能逆变器。

它的相对精度为+/- 8 Pa,绝对精度为+/- 40 Pa,温度系数偏移(TCO)为+/- 1.0 Pa/K。更重要的是,该传感器在1 Hz数据速率下的功耗仅为3.2 mA(典型值),对便携式设备电池的负荷极低。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 跨阻抗放大器

RoHS: 详细信息

系列: ACF2101

通道数量: 2 Channel

SR - 转换速率 : 3 V/us

Ib - 输入偏流: 0.1 pA

Vos - 输入偏置电压 : 2 mV

电源电压-最大: 36 V

电源电压-最小: 4.5 V

工作电源电流: 5.2 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-24

封装: Tube

放大器类型: Switched Integrator

产品: Transimpedance Amplifiers

商标: Texas Instruments

输入电压范围—最大: +/- 18 V

关闭: No Shutdown

湿度敏感性: Yes

工作电源电压: +/- 4.5 V to +/- 18 V

Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)

产品类型: Transimpedance Amplifiers

PSRR - 电源抑制比: 80 dB

工厂包装数量: 25

子类别: Amplifier ICs

单位重量: 624.400 mg

PM9A3 U.2的4K稳态随机读取性能为1100K IOPS,顺序读取速度为6900MB/s,相对上一代产品PM983 U.2分别提升2.2倍和2.16倍.

并且,在每瓦304MB/s的顺序写入性能表现中,与前代产品相比,能效比提高了61%。

PM9A3 U.2是三星首个采用第六代3D闪存(V-NAND)技术并支持 PCIe4.0的NVMe固态硬盘产品,符合

从量产PM9A3 U.2开始,三星半导体将继续加强与全球数据中心客户合作,不断推进新一代存储技术的发展和标准化,以迎接全面开放的5G时代和不断变化的生活方式。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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