紧凑型WCSP4F封装将低压和高压分隔在封装的两侧
发布时间:2021/3/19 21:51:28 访问次数:154
独特的DSO-24封装将低压和高压分隔在封装的两侧，进一步增加电气间隙和爬电距离。
LoRa兼容多调制系统芯片，在市场上独树一帜，促进物联网连接创新
新产品面向大众市场，可扩大功能和封装选择，兼容更多通信协议（例如Sigfox）
双核产品增强处理性能、网络安全性和应用灵活性
新产品以扩大其在市场上独一无二的STM32WL远距离SubGHz无线系统芯片(SoC)产品系列，新产品可为多元化的大众市场应用提供灵活的配置和封装选择。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV Id-连续漏极电流:6 A Rds On-漏源导通电阻:2.4 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V Qg-栅极电荷:34 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:150 W 通道模式:Enhancement 封装:Tube 配置:Single 系列:STW6N120K3 晶体管类型:1 N-Channel 商标:STMicroelectronics 下降时间:32 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:12 ns 工厂包装数量:600 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:58 ns 典型接通延迟时间:30 ns 单位重量:38 g
45款LDO稳压器组成的“TCR5RG”系列。该系列均采用轻薄、紧凑型WCSP4F封装。
新款LDO稳压器拥有业界领先的高纹波抑制比，能够为可穿戴产品等移动设备的直流电源线提供更稳定的功率。该系列产品将从今日开始批量出货。
TCR5RG系列通过结合宽带隙电路、低通滤波器（仅允许极低频率通过）以及低噪声高速运算放大器，实现了业界领先的100dB（典型值）高纹波抑制比。
低输出电压噪声和高输出电压精度的特点。这些特性结合在一起，使该系列稳压器能够提高电源线的稳定性。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
独特的DSO-24封装将低压和高压分隔在封装的两侧，进一步增加电气间隙和爬电距离。
LoRa兼容多调制系统芯片，在市场上独树一帜，促进物联网连接创新
新产品面向大众市场，可扩大功能和封装选择，兼容更多通信协议（例如Sigfox）
双核产品增强处理性能、网络安全性和应用灵活性
新产品以扩大其在市场上独一无二的STM32WL远距离SubGHz无线系统芯片(SoC)产品系列，新产品可为多元化的大众市场应用提供灵活的配置和封装选择。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV Id-连续漏极电流:6 A Rds On-漏源导通电阻:2.4 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V Qg-栅极电荷:34 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:150 W 通道模式:Enhancement 封装:Tube 配置:Single 系列:STW6N120K3 晶体管类型:1 N-Channel 商标:STMicroelectronics 下降时间:32 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:12 ns 工厂包装数量:600 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:58 ns 典型接通延迟时间:30 ns 单位重量:38 g
45款LDO稳压器组成的“TCR5RG”系列。该系列均采用轻薄、紧凑型WCSP4F封装。
新款LDO稳压器拥有业界领先的高纹波抑制比，能够为可穿戴产品等移动设备的直流电源线提供更稳定的功率。该系列产品将从今日开始批量出货。
TCR5RG系列通过结合宽带隙电路、低通滤波器（仅允许极低频率通过）以及低噪声高速运算放大器，实现了业界领先的100dB（典型值）高纹波抑制比。
低输出电压噪声和高输出电压精度的特点。这些特性结合在一起，使该系列稳压器能够提高电源线的稳定性。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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