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改善了最容易产生电场集中问题的栅极沟槽部分的电场分布

发布时间:2023/4/21 8:58:04 访问次数:121

ROHM将持续扩充封装阵容,以支持更广泛的应用。

计划推进车载级产品的开发。随着人们利用网络的“云端”工作模式和生活模式的快速发展,需要进一步丰富适用于需求日益扩大的数据中心服务器以及5G基站的产品阵容。

ROHM在此次推出的第五代Pch MOSFET基础上,还将持续推进更高效率的Nch MOSFET*2开发工作,为减少应用产品的设计工时并提高可靠性和效率做出贡献。

ROHM采用第五代微米工艺,成功开发出可支持24V输入、-40V/-60V耐压的低导通电阻Pch MOSFET。

福建芯鸿科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com

制造商:Texas Instruments 产品种类:参考电压 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 参考类型:Series References 输出电压:1.25 V 初始准确度:0.2 % 温度系数:75 PPM/C 串联VREF—输入电压—最大值:5.5 V 分流电流—最大值:25 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 准确性:100 uV/mA 高度:1 mm 长度:2.92 mm 工作温度范围:- 40 C to + 125 C 产品:Voltage References 宽度:1.3 mm 商标:Texas Instruments 电源电流—最大值:50 uA 拓扑结构:Series References 工作电源电流:42 uA 产品类型:Voltage References 工厂包装数量3000 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:11.200 mg


ROHM第五代微米工艺技术,使栅极沟槽结构*4较ROHM以往产品更为细致精密,并提高了电流密度,从而在支持24V输入的-40V/-60V耐压Pch MOSFET领域中,实现了极为出色的单位面积低导通电阻。-40V耐压产品的导通电阻较以往产品降低62%,-60V耐压产品的导通电阻较以往产品降低52%,非常有助于应用设备的节能性与小型化。

新产品充分运用了迄今为止积累的可靠性相关的技术经验和诀窍,优化了元件结构,同时采用新设计,改善了最容易产生电场集中问题的栅极沟槽部分的电场分布,实现了品质的大幅度提升。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


ROHM将持续扩充封装阵容,以支持更广泛的应用。

计划推进车载级产品的开发。随着人们利用网络的“云端”工作模式和生活模式的快速发展,需要进一步丰富适用于需求日益扩大的数据中心服务器以及5G基站的产品阵容。

ROHM在此次推出的第五代Pch MOSFET基础上,还将持续推进更高效率的Nch MOSFET*2开发工作,为减少应用产品的设计工时并提高可靠性和效率做出贡献。

ROHM采用第五代微米工艺,成功开发出可支持24V输入、-40V/-60V耐压的低导通电阻Pch MOSFET。

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ROHM第五代微米工艺技术,使栅极沟槽结构*4较ROHM以往产品更为细致精密,并提高了电流密度,从而在支持24V输入的-40V/-60V耐压Pch MOSFET领域中,实现了极为出色的单位面积低导通电阻。-40V耐压产品的导通电阻较以往产品降低62%,-60V耐压产品的导通电阻较以往产品降低52%,非常有助于应用设备的节能性与小型化。

新产品充分运用了迄今为止积累的可靠性相关的技术经验和诀窍,优化了元件结构,同时采用新设计,改善了最容易产生电场集中问题的栅极沟槽部分的电场分布,实现了品质的大幅度提升。

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