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AC/DC开关电源和分布式电源结构电压调整器模块(VRM)

发布时间:2021/2/2 23:09:24 访问次数:832

尺寸最大为4.0mm的大功率SMT功率电感器系列PG0084,它的电流容量可达32A,设计用于AC/DC开关电源和分布式电源结构(DPA),点负载(POL)系统和电压调整器模块(VRM)中的DC/DC转换器.

产品应用包括服务器和工作站,通信交换机,路由器和基站.

PG0084系列是Pulse的最新的功率电感器,它有低的直流电阻(DCR),从0.9毫欧姆到9.0毫欧姆,电感范围宽,从0.1到1.76微亨,有极好的热效率,额定电流高达直流32A,饱和电流从16.5A到58.0A.

扩充的工作温度达130度C,以及小体积和小占位面积,使它很适合用在紧凑高密度的板中.

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 晶体管极性:N-Channel, P-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:40 V Id-连续漏极电流:6.9 A, 4.5 A Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms, 55 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V, 2.4 V Qg-栅极电荷:19.1 nC, 21.5 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.8 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Dual 系列: 晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel 商标:Diodes Incorporated 下降时间:4.8 ns, 25.5 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:7.1 ns, 19.6 ns 2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:15.1 ns, 34.9 ns 典型接通延迟时间:5.3 ns, 8.7 ns 单位重量:74 mg

MRAM的长寿命和可靠性使它很适合用在苛刻的环境,或需要长系统寿命的地方如汽车电子和工业系统.此外还可用在军事和航空航天系统.

4Mb 容量的MRAM是256Kx16,采用CMOS铜互连技术,MRAM单元是单晶体管和磁隧道结的结构,它的读和写时间小于50ns.

由于MRAM具有非挥发性,数据保持持久性,速度和密度的性能组合,所以它能成为通用的存储器用在许多方面而消除了需要各种存储器的组合.

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


尺寸最大为4.0mm的大功率SMT功率电感器系列PG0084,它的电流容量可达32A,设计用于AC/DC开关电源和分布式电源结构(DPA),点负载(POL)系统和电压调整器模块(VRM)中的DC/DC转换器.

产品应用包括服务器和工作站,通信交换机,路由器和基站.

PG0084系列是Pulse的最新的功率电感器,它有低的直流电阻(DCR),从0.9毫欧姆到9.0毫欧姆,电感范围宽,从0.1到1.76微亨,有极好的热效率,额定电流高达直流32A,饱和电流从16.5A到58.0A.

扩充的工作温度达130度C,以及小体积和小占位面积,使它很适合用在紧凑高密度的板中.

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 晶体管极性:N-Channel, P-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:40 V Id-连续漏极电流:6.9 A, 4.5 A Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms, 55 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V, 2.4 V Qg-栅极电荷:19.1 nC, 21.5 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.8 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Dual 系列: 晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel 商标:Diodes Incorporated 下降时间:4.8 ns, 25.5 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:7.1 ns, 19.6 ns 2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:15.1 ns, 34.9 ns 典型接通延迟时间:5.3 ns, 8.7 ns 单位重量:74 mg

MRAM的长寿命和可靠性使它很适合用在苛刻的环境,或需要长系统寿命的地方如汽车电子和工业系统.此外还可用在军事和航空航天系统.

4Mb 容量的MRAM是256Kx16,采用CMOS铜互连技术,MRAM单元是单晶体管和磁隧道结的结构,它的读和写时间小于50ns.

由于MRAM具有非挥发性,数据保持持久性,速度和密度的性能组合,所以它能成为通用的存储器用在许多方面而消除了需要各种存储器的组合.

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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