辐射容错DC-DC转换器电源模块采用Vicor最新电镀SM-ChiP™封装
发布时间:2021/2/11 18:33:57 访问次数:277
辐射容错DC-DC转换器电源模块,该模块采用 Vicor 最新电镀 SM-ChiP™ 封装。
ChiP 可从 100V 的标称电源为高达 300 瓦的低电压 ASIC 供电,其经过波音公司测试,不仅能够抵抗50 krad 电离总剂量,而且还具备抗单粒子干扰(single-event upsets)的功能。
凭借冗余架构实现对单粒子干扰(single-event upsets)免疫,将两个具有容错控制 IC 的相同功率模块并联,封装于高密度 SM-ChiP模块中实现抗干扰功能。
先进的通信卫星要求具备高功率密度和低噪声特性。
制造商:Nexperia 产品种类:二极管 - 通用,功率,开关 RoHS: 详细信息 产品:Switching Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 峰值反向电压:100 V 最大浪涌电流:4 A If - 正向电流:215 mA 配置:Dual 恢复时间:4 ns Vf - 正向电压:1.25 V Ir - 反向电流 :0.5 uA 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1 mm 长度:3 mm 类型:Switching Diode 宽度:1.4 mm 商标:Nexperia 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching 工厂包装数量:3000 子类别:Diodes & Rectifiers 零件号别名:933184910215 单位重量:7.400 mg
普通产品保证的擦写次数为100万次,而本系列产品则高达400万次,不仅有助于延长电子设备的使用寿命,而且还非常适用于必须频繁擦写数据的状态记录的设备。
ROHM将继续扩大本系列产品阵容,同时还将开发支持SPI总线的产品,为提高各种车载和工业设备的可靠性和减少出厂前的生产工时贡献力量。
采用 29 x 19 毫米封装)和两个 VTM2919 电流倍增器(一个 K = 1/32、电流为 150A 时,输出电压为 0.8V;一个 K = 1/8,电流为 25A 时,输出电压为 3.4V)。该解决方案直接从 100V 电源为 ASIC 供电,采用极少的外部组件,支持低噪声工作。
辐射容错DC-DC转换器电源模块,该模块采用 Vicor 最新电镀 SM-ChiP™ 封装。
ChiP 可从 100V 的标称电源为高达 300 瓦的低电压 ASIC 供电,其经过波音公司测试,不仅能够抵抗50 krad 电离总剂量,而且还具备抗单粒子干扰(single-event upsets)的功能。
凭借冗余架构实现对单粒子干扰(single-event upsets)免疫,将两个具有容错控制 IC 的相同功率模块并联,封装于高密度 SM-ChiP模块中实现抗干扰功能。
先进的通信卫星要求具备高功率密度和低噪声特性。
制造商:Nexperia 产品种类:二极管 - 通用,功率,开关 RoHS: 详细信息 产品:Switching Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 峰值反向电压:100 V 最大浪涌电流:4 A If - 正向电流:215 mA 配置:Dual 恢复时间:4 ns Vf - 正向电压:1.25 V Ir - 反向电流 :0.5 uA 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1 mm 长度:3 mm 类型:Switching Diode 宽度:1.4 mm 商标:Nexperia 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching 工厂包装数量:3000 子类别:Diodes & Rectifiers 零件号别名:933184910215 单位重量:7.400 mg
普通产品保证的擦写次数为100万次,而本系列产品则高达400万次,不仅有助于延长电子设备的使用寿命,而且还非常适用于必须频繁擦写数据的状态记录的设备。
ROHM将继续扩大本系列产品阵容,同时还将开发支持SPI总线的产品,为提高各种车载和工业设备的可靠性和减少出厂前的生产工时贡献力量。
采用 29 x 19 毫米封装)和两个 VTM2919 电流倍增器(一个 K = 1/32、电流为 150A 时,输出电压为 0.8V;一个 K = 1/8,电流为 25A 时,输出电压为 3.4V)。该解决方案直接从 100V 电源为 ASIC 供电,采用极少的外部组件,支持低噪声工作。