雪崩光电二极管（APD）和单光子雪崩二极管（SPAD）器件。

X-FAB全新APD和SPAD采用其成熟且通过汽车认证的180nm XH018高压工艺。得益于创新的架构改进，其与该公司的早期器件（最初于2019年中期发布）相比，性能得到显著提升，因此可用于光照强度极具挑战性的场景。

新器件与上一代的外形与连接兼容性得到保留，确保了简单便捷的升级途径，而无需额外的工程工作。

性能提升最明显的领域之一是光子探测概率（PDP）。405nm波长入射光PDP数值为42%，而在近红外（NIR）频率上的改进幅度更进一步，高达150%；850nm波长PDP数值为5%。

制造商:STMicroelectronics产品种类:ARM微控制器 - MCURoHS: 系列:安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LQFP-48核心:程序存储器大小:64 kB数据总线宽度:32 bitADC分辨率:12 bit最大时钟频率:72 MHz输入/输出端数量:37 I/O数据 RAM 大小:20 kB工作电源电压:2 V to 3.6 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Tray高度:1.4 mm长度:7 mm产品:MCU程序存储器类型:Flash宽度:7 mm商标:STMicroelectronics数据 Ram 类型:SRAM接口类型:CAN, I2C, SPI, USART, USB湿度敏感性:YesADC通道数量:10 Channel计时器/计数器数量:3 Timer处理器系列:ARM Cortex M产品类型:ARM Microcontrollers - MCU1500子类别:Microcontrollers - MCU电源电压-最大:3.6 V电源电压-最小:2 V商标名:单位重量:180 mg

SPAD和APD器件的完整器件模型保证了首次成功（first-time-right）；该模型还包括新的内置触发二极管行为。

得益于提升的PDP并结合极富竞争力的DCR水平，我们向市场推出的APD/SPAD解决方案具备令人印象深刻的信号完整性特性；这将使我们的客户在众多应用中获得直接的收益，如医疗领域中的计算机层析成像和荧光检测，以及工业和汽车系统中的ToF与激光雷达等。

这些先进的光电元件是X-FAB设计套件的宝贵补充，拓宽了在XH018工艺中可利用的互操作资产选择范围。

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