Xilinx在其编程、调试和跟踪模块组合中增加了一个新产品。SmartLynq+模块是一个高速调试和跟踪模块，主要针对使用Versal™平台的设计，它极大地提高了配置和跟踪速度。

SmartLynq+模块通过高速调试端口(HSDP)提供比SmartLynq数据电缆最多28倍的Linux下载时间。对于跟踪捕获，SmartLynq+模块能够通过HSDP以高达10Gb/s的速度运行。

这比标准的JTAG快100倍更快速的迭代和重复的下载可以提高开发生产力并减少设计周期。这意味着您不再需要将宝贵的时间花在调试上，而可以将精力集中在基于Versal的解决方案的启动上。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:60 A Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:54 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:110 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Tube 配置:Single 高度:9.15 mm 长度:10.4 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET 类型:MOSFET 宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值:50 S 下降时间:20 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:65 ns 1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:45 ns 典型接通延迟时间:15 ns 单位重量:330 mg

10个新的650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。 Vishay Semiconductors器件采用合并的PIN肖特基（MPS）设计，旨在通过降低开关损耗来提高高频应用的效率，而不受温度变化的影响，从而使二极管能够在更高的温度下工作。

今天发布的二极管的MPS设计可屏蔽来自肖特基势垒的电场，以减少泄漏电流，同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）