1500Vrms绝缘和350mA电流容量的存储器密度
发布时间:2021/1/30 22:45:05 访问次数:716
这种技术称作"双芯片堆栈",第二个硅芯片在第一个芯片之上,把芯片堆栈在规则的虽然较高的精细间隔的球栅阵列封装.
这种创新的堆栈方式允许Infineon不仅能得到空前的存储器密度.
而且能对由此得到的存储器提供优越的电性能和热性能.作为一种选择,4GB注册DIMM也可用基于TSOP封装的堆栈型来提供.
1Gb DDR SDRAM主要用来提供高密度注册和无缓冲器的模块,用于高端服务器和工作站市场.
封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 长度:6.5 mm 系列:CoolMOS P7 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:6.22 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:61 ns 湿度敏感性:Yes 产品类型:MOSFET 上升时间:4.9 ns 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:63 ns 典型接通延迟时间:12 ns 零件号别名:IPD70R1K4P7S SP001491632 单位重量:340 mg
高输入阻抗使每个变压器对现有的以太网系统是透明的,即刻升级了连接.这种升级能对现有的有PoE功能的系统降低成本,缩短了产品走向市场的时间.
该元件能提供15W功率,用以遥控100米以外的设备,使它们很适合用在遥控供电应用如安全照相机设备,无线网络系统,遥控传感器和变换器以及VoIP电话.
该模块能提供大于1500Vrms绝缘和350mA电流容量,工作温度在0-70度C.所有这三种产品都和贴片机的制造工艺兼容,能进行Auto MDIX应用.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
这种技术称作"双芯片堆栈",第二个硅芯片在第一个芯片之上,把芯片堆栈在规则的虽然较高的精细间隔的球栅阵列封装.
这种创新的堆栈方式允许Infineon不仅能得到空前的存储器密度.
而且能对由此得到的存储器提供优越的电性能和热性能.作为一种选择,4GB注册DIMM也可用基于TSOP封装的堆栈型来提供.
1Gb DDR SDRAM主要用来提供高密度注册和无缓冲器的模块,用于高端服务器和工作站市场.
封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 长度:6.5 mm 系列:CoolMOS P7 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:6.22 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:61 ns 湿度敏感性:Yes 产品类型:MOSFET 上升时间:4.9 ns 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:63 ns 典型接通延迟时间:12 ns 零件号别名:IPD70R1K4P7S SP001491632 单位重量:340 mg
高输入阻抗使每个变压器对现有的以太网系统是透明的,即刻升级了连接.这种升级能对现有的有PoE功能的系统降低成本,缩短了产品走向市场的时间.
该元件能提供15W功率,用以遥控100米以外的设备,使它们很适合用在遥控供电应用如安全照相机设备,无线网络系统,遥控传感器和变换器以及VoIP电话.
该模块能提供大于1500Vrms绝缘和350mA电流容量,工作温度在0-70度C.所有这三种产品都和贴片机的制造工艺兼容,能进行Auto MDIX应用.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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