以太网加电(PoE)10/100BASE-TX变压器模块H1180
发布时间:2021/1/30 22:43:04 访问次数:766
1Gb DDR SDRAM HYB25D1G800AE-7,该器件采用先进的110nm CMOS工艺制造,芯片面积仅为160mm2,是业界最小的1Gb DDR SDRAM芯片.
新的1Gb DRAM的封装是400密尔的66引脚TSOP或在空间受到严格限制应用的68针FBGA封装.
所支持的结构有x4,x8和x16.1Gb 双数据速率(DDR)覆盖了从DDR266到DDR400整个受欢迎的DDR速率,其工作时钟分别是133MHz到200MHz.
为了在每个模块得到最高的存储器密度,Infineon公司采用FBGA封装的堆栈型来生产4GB注册模块.
制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-252-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:700 V Id-连续漏极电流:4 A Rds On-漏源导通电阻:1.15 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, + 16 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V Qg-栅极电荷:4.7 nC 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:22.7 W 通道模式:Enhancement 商标名:CoolMOS
产品属性属性值搜索类似制造商:Micron Technology产品种类:动态随机存取存储器系列:商标:Micron 产品类型:DRAM 子类别:Memory & Data Storage
IEEE 802.3af/ANSI X3.263兼容的以太网加电(PoE) 10/100BASE-TX变压器模块H1180,H1183和H1197,它们是特别设计用于中等范围的PoE应用的.
使用H1180,H1183和H1197能立即对现有的以太网连接升级到以太网加电兼容的解决方案,使遥控设备能在同样的不屏蔽双绞线(UTP)电缆上接收功率和数据.
这些新的中等范围元件不再需要安装独立的电源线给遥控设备供电,从而省了时间,成本和安装工作.
H1180,H1183和H1197和现有的UTP以太网电缆平行.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
1Gb DDR SDRAM HYB25D1G800AE-7,该器件采用先进的110nm CMOS工艺制造,芯片面积仅为160mm2,是业界最小的1Gb DDR SDRAM芯片.
新的1Gb DRAM的封装是400密尔的66引脚TSOP或在空间受到严格限制应用的68针FBGA封装.
所支持的结构有x4,x8和x16.1Gb 双数据速率(DDR)覆盖了从DDR266到DDR400整个受欢迎的DDR速率,其工作时钟分别是133MHz到200MHz.
为了在每个模块得到最高的存储器密度,Infineon公司采用FBGA封装的堆栈型来生产4GB注册模块.
制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-252-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:700 V Id-连续漏极电流:4 A Rds On-漏源导通电阻:1.15 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, + 16 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V Qg-栅极电荷:4.7 nC 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:22.7 W 通道模式:Enhancement 商标名:CoolMOS
产品属性属性值搜索类似制造商:Micron Technology产品种类:动态随机存取存储器系列:商标:Micron 产品类型:DRAM 子类别:Memory & Data Storage
IEEE 802.3af/ANSI X3.263兼容的以太网加电(PoE) 10/100BASE-TX变压器模块H1180,H1183和H1197,它们是特别设计用于中等范围的PoE应用的.
使用H1180,H1183和H1197能立即对现有的以太网连接升级到以太网加电兼容的解决方案,使遥控设备能在同样的不屏蔽双绞线(UTP)电缆上接收功率和数据.
这些新的中等范围元件不再需要安装独立的电源线给遥控设备供电,从而省了时间,成本和安装工作.
H1180,H1183和H1197和现有的UTP以太网电缆平行.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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