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72Mb同步管线突发无总线的单片微波集成电路

发布时间:2021/1/26 8:06:49 访问次数:177

SiGe工艺是一种证明成熟的有70GHz 的fT工艺,所生产的产品包括有RF晶体管,低噪音放大器和用于移动无线基站的单片微波集成电路。

而静态分频器(分频比例为32)的最大输入频率为86GHz,工作电压为5V,消耗电流仅为180mA。

建造高频收发器的关键元件是压控振荡器(VCO)。Infineon公司开发和制造了工作在95-98GHz的VCO,在1MHz载波偏移频率下相位噪音仅为-97dBc/Hz。输出功率为-6dBm,5V工作时的电流为很低的12mA。


制造商:Infineon 产品种类:IGBT 晶体管 技术:Si 封装 / 箱体:TO-247-3 系列:TRENCHSTOP IGBT 封装:Tube 商标:Infineon Technologies 产品类型:IGBT Transistors 子类别:IGBTs 商标名:TRENCHSTOP

集电极连续电流:75 A 栅极—射极漏泄电流:600 nA 产品类型:IGBT Transistors 工厂包装数量:240 子类别:IGBTs 商标名:TRENCHSTOP 零件号别名:IKQ75N120CS6 SP001666624 单位重量:6.897 g


72Mb同步管线突发无总线等待的SSRAM W2Z1M72SJ35BC,它有最高密度的四个或六个存储器。该器件能使设计者降低功耗和整个存储器的数量。

工作频率在150-250MHz的CMOS存储器,存取时间为2.8-3.9ns,工作电压2.5V,100%和业界所选择的无等待结构兼容。它的封装是209针BGA封装,尺寸为14x22mm,在读写处理时支持100%占空比的带宽。公司也提供36Mb的512Kbx72的器件W2Z512K72SJ35BC。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


SiGe工艺是一种证明成熟的有70GHz 的fT工艺,所生产的产品包括有RF晶体管,低噪音放大器和用于移动无线基站的单片微波集成电路。

而静态分频器(分频比例为32)的最大输入频率为86GHz,工作电压为5V,消耗电流仅为180mA。

建造高频收发器的关键元件是压控振荡器(VCO)。Infineon公司开发和制造了工作在95-98GHz的VCO,在1MHz载波偏移频率下相位噪音仅为-97dBc/Hz。输出功率为-6dBm,5V工作时的电流为很低的12mA。


制造商:Infineon 产品种类:IGBT 晶体管 技术:Si 封装 / 箱体:TO-247-3 系列:TRENCHSTOP IGBT 封装:Tube 商标:Infineon Technologies 产品类型:IGBT Transistors 子类别:IGBTs 商标名:TRENCHSTOP

集电极连续电流:75 A 栅极—射极漏泄电流:600 nA 产品类型:IGBT Transistors 工厂包装数量:240 子类别:IGBTs 商标名:TRENCHSTOP 零件号别名:IKQ75N120CS6 SP001666624 单位重量:6.897 g


72Mb同步管线突发无总线等待的SSRAM W2Z1M72SJ35BC,它有最高密度的四个或六个存储器。该器件能使设计者降低功耗和整个存储器的数量。

工作频率在150-250MHz的CMOS存储器,存取时间为2.8-3.9ns,工作电压2.5V,100%和业界所选择的无等待结构兼容。它的封装是209针BGA封装,尺寸为14x22mm,在读写处理时支持100%占空比的带宽。公司也提供36Mb的512Kbx72的器件W2Z512K72SJ35BC。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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