所测量的电路表明，其性能和其它供应商的同类产品相比，提高10-30%的工作频率，使其能应用在高频产品和高速通信系统。

从这种技术受益的将是高速分立元件(晶体管和二极管)，40Gbps低功耗有线通信系统，高速微波无线链路，高达60GHz的超宽带通信系统和77GHz汽车雷达系统。

Infineon公司根据它的SiGe:C双极工艺，设计了几种用于高速通信的主要功能块，它的截止频率大于200GHz，所演示的振荡器门延迟时间为3.7ps。

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制造商:Infineon 产品种类:IGBT 晶体管 RoHS: 详细信息 技术:Si 封装 / 箱体:TO-247-3 安装风格:Through Hole 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.6 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:80 A Pd-功率耗散:319.2 W 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 175 C 系列:Trenchstop IGBT3 封装:Tube 商标:Infineon Technologies 栅极—射极漏泄电流:100 nA 产品类型:IGBT Transistors 工厂包装数量:240 子类别:IGBTs 商标名:TRENCHSTOP 零件号别名:IKW50N60DTP SP001379678 单位重量:6.065 g

高性能电路的测试也表明，很平稳的晶体管参数能用在模拟和数字应用，有很低的噪音。采用这种技术，研究人员演示了几种破记录的IC：110GHz+动态频率分频器，86GHz静态频率分频器和95GHz压控振荡器(VCO)以及77GHz汽车雷达收发器。

SiGe双极工艺很适合各种高速模拟和数字方面的应用，如Gbps数据通信和宽带无线应用或微波产品。动态频率分频器的分频比例为2，最大输入频率为110GHz。

该电路的工作电压为5V，消耗电流62mA。