电流75微安比EEPROM低13倍因此极大延长手提设备中电池寿命
发布时间:2023/12/31 23:32:36 访问次数:44
球间距为0.8mm，和四片装的MCP一样大，而存储容两却增加了20%。MCP分成四片上装和两片下装。
上装有128Mb NOR双运作的闪存，64Mb NOR双运作闪存，64Mb移动FCRAM和好2Mb移动FCRAM。下装有32Mb NOR双运作闪存和8Mb低功耗SRAM。
总线宽度为16位，工作电压为2.85V ± 0.15V，工作温度为-26度C到85度C。MCPMCP有10万次`擦除/写入。
PS-MCP是标准塑料179引脚BGA封装。
用于实现高速、
抗 RF 干扰的远程通信。
采用菊链式连接，
所有器件采用一根主处理器接线。
多个器件并联连接至主处理器，
对每个器件进行个别寻址。
直接采用电池组
一个隔离式电源供电。
针对每节电池的电荷被动平衡、
以及用于每节电池
个别 PWM 占空比控制功能。
包括一个内置的 5V 稳压器、
5 根通用型 I/O 线
一种睡眠模式
(在该模式中电流消耗减小至 4μA)。
新的低功耗4Kb铁电RAM(FRAM)FM24CL04,工作电压为3V。器件和工业标准的串行EEPROM兼容，工作电流只有75微安，比EEPROM低13倍。因此极大延长了手提设备中的电池寿命。FM24CL04的快速读和写能也节省FRAM用户的装配时间和成本。
该器件能在2.7-3.3V下工作，在0.5ms内编程，而EEPROM则需要0.5s。它不需要延时，在标准总线的写入速度达1MHz，而EEPROM的写入时延就要10ms。和EEPROM的100万次写入周期相比，8引脚OIC封装则有无限次写入周期，工作温度在0-85度.
球间距为0.8mm，和四片装的MCP一样大，而存储容两却增加了20%。MCP分成四片上装和两片下装。
上装有128Mb NOR双运作的闪存，64Mb NOR双运作闪存，64Mb移动FCRAM和好2Mb移动FCRAM。下装有32Mb NOR双运作闪存和8Mb低功耗SRAM。
总线宽度为16位，工作电压为2.85V ± 0.15V，工作温度为-26度C到85度C。MCPMCP有10万次`擦除/写入。
PS-MCP是标准塑料179引脚BGA封装。
用于实现高速、
抗 RF 干扰的远程通信。
采用菊链式连接，
所有器件采用一根主处理器接线。
多个器件并联连接至主处理器，
对每个器件进行个别寻址。
直接采用电池组
一个隔离式电源供电。
针对每节电池的电荷被动平衡、
以及用于每节电池
个别 PWM 占空比控制功能。
包括一个内置的 5V 稳压器、
5 根通用型 I/O 线
一种睡眠模式
(在该模式中电流消耗减小至 4μA)。
新的低功耗4Kb铁电RAM(FRAM)FM24CL04,工作电压为3V。器件和工业标准的串行EEPROM兼容，工作电流只有75微安，比EEPROM低13倍。因此极大延长了手提设备中的电池寿命。FM24CL04的快速读和写能也节省FRAM用户的装配时间和成本。
该器件能在2.7-3.3V下工作，在0.5ms内编程，而EEPROM则需要0.5s。它不需要延时，在标准总线的写入速度达1MHz，而EEPROM的写入时延就要10ms。和EEPROM的100万次写入周期相比，8引脚OIC封装则有无限次写入周期，工作温度在0-85度.
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