BCM5841支持256位键位AES，这是美国政府认可的加密算法，它对防火墙，VPN，有VPN功能的路由器和接入设备是必不可少的算法。以4.8Gbps的速度支持256位键位AES，BCM5841给电子商务和互联网上的数据交换提供了更加安全的保密性。

BCM5841有灵活的接口，支持POS-PHY层3(PL3)接口或有FIFO配置的接口。BCM5841最适宜用作IPSec协处理器，它能从主协议处理器中计算地卸下严格的用密码编写的运算。

FIFO配置的接口用来无缝地连接Broadcom公司的SiByte系列宽带处理器，包括有FIFO接口的网络处理单元(NPU)BCM1250和BCM1125。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:达林顿晶体管 配置:Single 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V 集电极—基极电压 VCBO:100 V 最大直流电集电极电流:8 A 最大集电极截止电流:50 uA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 最大工作温度:+ 150 C 系列: 封装:Tube 高度:9.15 mm 长度:10.4 mm 宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 产品类型:Darlington Transistors 1000 子类别:Transistors 单位重量:6 g

存储器(ASM)，它是基于富士通FCRAM结构的低功耗移动快速周期随机存取存储器(FCRAM)系列。这两种FCRAM器件是用在下一代移动手机，它能提供诸如互联网接入，音乐发送，e-Mail,视频明信片，信息和地方性服务。新的ASM满足了先进设备对扩充存储器的要求以及这些最新的手机技术所必需的数据速率的要求。

新的移动FCRAM采用页模式操作，大大地改善了同一页内连续出现的地址存取的性能。器件也集成了两个新特性，以适应每一个目标市场。

系列中第一个器件是32M位的移动FCRAM ，型号为MB82DPS02183，工作电压1.8V。

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