速度为350GHz的锗硅晶体管。这种新型晶体管的性能比现有的产品高近300%，比先前报道过的硅晶体管快65%。手指甲大小的微芯片能有几百万个晶体管。

IBM开发的晶体管将会使通信芯片在大约两年内速度高于150GHz。该晶体管也期望能大大地降低通信系统和其它电子产品的功耗和成本。

晶体管的速度主要由电子通过晶体管的快慢来决定。这取决于制造晶体管的半导体材料和电子必须通过的距离。绝大多数标准晶体管所用的材料是硅。

制造商:Infineon 产品种类:IGBT 晶体管 技术:Si 封装 / 箱体:TO-247-3 安装风格:Through Hole 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.65 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:74 A Pd-功率耗散:250 W 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 175 C 系列: 封装:Tube 高度:20.7 mm 长度:15.87 mm 宽度:5.31 mm 商标:Infineon Technologies 栅极—射极漏泄电流:100 nA 产品类型:IGBT Transistors 240 子类别:IGBTs 商标名: 零件号别名:IKW40N65H5 SP001001730 单位重量:38 g

FRAM核心技术是把微细的铁电晶体集成到电容上，使FRAM像快速的非挥发RAM那样工作。铁电晶体的电极化在电场的作用下在两个稳定状态间变化。

电极化的方向有内部电路的高或低逻辑状态确定。

每个方向都是稳定的，电场除去后依然保持不变，从而在存储器中保存了数据而不会发生周期性刷新。TI的FRAM单元采用1晶体管-1电容(1T-1C)结构，最小化单元面积。

铁电电容由铱电极和薄的锆酸铅钛酸盐(Lead Zirconate Titanate(PZT))铁电层组成。