两款新芯片开发新产品，半导体将可确立其在手机以至其他产品市场上的领导地位。采用较少元件的设计以及更精简的生产工序日渐受到厂商的重视。

放大器可直接装设于驻极体电容器麦克风之内，因此我们可以充分利用这个优点，开发更高灵敏度的麦克风，以便大幅提高移动电话及其他通信设备的音响效果。

我们必须小心设计电路板，再加上其他必要滤波元件的配合，才可充分发挥麦克风的性能。放大器芯片都因为封装过大而无法内置于体积日趋小型化的驻极体电容器麦克风内。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV Id-连续漏极电流:6 A Rds On-漏源导通电阻:2.4 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V Qg-栅极电荷:34 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:150 W 通道模式:Enhancement 封装:Tube 配置:Single 系列: 晶体管类型:1 N-Channel 商标:STMicroelectronics 下降时间:32 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:12 ns 1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:58 ns 典型接通延迟时间:30 ns 单位重量:330 mg

新的封装TESQ，比标准的4引脚SOT-343表面安装封装还小34%，使用在手机，无线PDA和无线局域网(WLAN)的低噪音放大器(LNA)和压控振荡器有更高的增益。

东芝的低噪音MT4S100T和高增益MT4S101T晶体管的TESQ封装，尺寸只有1.2mm x 1.2mmx0.52mm。MT4S101T很理想地用在WLAN中5.2GHz LNA。

锗硅技术由于结合了硅和锗的电特性，因而有很低的噪音和高增益。这类锗硅器件有低功耗的特性，很适合用在移动和无线电话以及PDA。

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