振荡器频率内部调整275KHz绝缘式回扫转换器
发布时间:2021/1/15 18:57:56 访问次数:264
MAX5014/MAX5015输入电压从12V到110V,包括用于起动的高压前置调节器。起动以后,器件的电源由变压器的低压绕组来得到。MAX5014工作在最大占空比为85%,推荐用作绝缘式回扫转换器,输出功率高达20W。
控制器的其它特性包括电流模式控制,前沿回扫空白,关断,软起动,过流关断,欠压锁住和热关断。振荡器频率有内部调整为275KHz,允许使用表面安装的元件。
为了加速设计,可提供全部测试过的50W绝缘电源评估工具,标准的半砖模块占位和出脚。
制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-3 晶体管极性:PNP 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V 集电极—射极饱和电压:- 1.6 V 最大直流电集电极电流:0.6 A Pd-功率耗散:200 mW 增益带宽产品fT:200 MHz 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 直流电流增益 hFE 最大值:300 高度:0.8 mm 长度:2 mm 技术:Si 宽度:1.25 mm 商标:ROHM Semiconductor 集电极连续电流:- 0.6 A 直流集电极/Base Gain hfe Min:50 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 3000 子类别:Transistors 零件号别名:UMT2907A 单位重量:5 mg
高性能有集成的闪存的微控制器(MCU)和数字信号处理器(DSP)功能的嵌入式系统的混合内核56800E。Motorola把新型56800E混合内核的性能和56800系列结合起来,以满足日益增长的更高性能内核和嵌入式闪存的需求。
这种结合将会为Motorola现在的8位和16位MCU用户提供自然的升级途经,以满足更多的处理能力。
基于闪存的56800E器件,称作56F83x系列,能用来设计汽车电子,仪表和工业网络应用,包括电功率辅助操纵,数据采集设备和工厂自动化。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
MAX5014/MAX5015输入电压从12V到110V,包括用于起动的高压前置调节器。起动以后,器件的电源由变压器的低压绕组来得到。MAX5014工作在最大占空比为85%,推荐用作绝缘式回扫转换器,输出功率高达20W。
控制器的其它特性包括电流模式控制,前沿回扫空白,关断,软起动,过流关断,欠压锁住和热关断。振荡器频率有内部调整为275KHz,允许使用表面安装的元件。
为了加速设计,可提供全部测试过的50W绝缘电源评估工具,标准的半砖模块占位和出脚。
制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-3 晶体管极性:PNP 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V 集电极—基极电压 VCBO:- 60 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V 集电极—射极饱和电压:- 1.6 V 最大直流电集电极电流:0.6 A Pd-功率耗散:200 mW 增益带宽产品fT:200 MHz 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 直流电流增益 hFE 最大值:300 高度:0.8 mm 长度:2 mm 技术:Si 宽度:1.25 mm 商标:ROHM Semiconductor 集电极连续电流:- 0.6 A 直流集电极/Base Gain hfe Min:50 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 3000 子类别:Transistors 零件号别名:UMT2907A 单位重量:5 mg
高性能有集成的闪存的微控制器(MCU)和数字信号处理器(DSP)功能的嵌入式系统的混合内核56800E。Motorola把新型56800E混合内核的性能和56800系列结合起来,以满足日益增长的更高性能内核和嵌入式闪存的需求。
这种结合将会为Motorola现在的8位和16位MCU用户提供自然的升级途经,以满足更多的处理能力。
基于闪存的56800E器件,称作56F83x系列,能用来设计汽车电子,仪表和工业网络应用,包括电功率辅助操纵,数据采集设备和工厂自动化。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)