MC100EP196接受射极耦合逻辑(ECL)、互补金属氧化半导体(CMOS)和晶体管对晶体管逻辑电路(TTL)，使系统设计人员可直接以微控制器对MC100EP196编程，无须采用特定的编程电路。MC100EP196与 PECL或NECL模式的正负参考低电压3.0至3.6伏系统均兼容。

ISSI的MCP解决方案能理想地用在需要高性能低功耗和小占位尺寸的地方，如移动手机，PDA，手持个人计算机，全球定位系统(GPS)，无线调制解调器，双向寻呼机以及手持工业数字设备。两种器件都是65引脚的BGA封装。

制造商:Texas Instruments 产品种类:LVDS 接口集成电路 RoHS:N 类型:LVDS 激励器数量:4 Driver 接收机数量:4 Receiver 数据速率:155.5 Mb/s 输入类型:CMOS, TTL 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-16 Narrow 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.45 mm 长度:9.91 mm 宽度:3.91 mm 商标:Texas Instruments 最大输出电压:450 mV 工作电源电压:5 V Pd-功率耗散:1.068 W 产品类型:LVDS Interface IC 传播延迟时间:3 ns 工厂包装数量:2500 子类别:Interface ICs 单位重量:547.500 mg

NOR闪存和假SRAM组合在一个封装的MCP 器件IS75V16F64GS16 和 IS75V16F64GS32。这些新产品有高密度随机存取存储器16M位或32M位的假SRAM(PSRAM)和64M位闪存。

PSRAM解决方案比等效的六晶体管SRAM成本更低。这和模块提高空间效率一起，使闪存和假SRAM 封在一起的MCP，非常适合用在需要高性能和低功耗的移动领域。

PSRAM技术采用有简便SRAM I/O接口的单元DRAM核，因而有更高的密度，每位功耗更低，芯片面积更小。PSRAM用作缓冲器和工作存储器，而NOD闪存则存储数据，操作代码和各种的通信协议。

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