主电源QFN导线架内VRM 10电源规范的直流转换器
发布时间:2021/1/3 13:15:26 访问次数:663
NIS3001内具有导通电阻极低(2.6 毫欧)的用作同步MOSFET的器件,和速度极快以控制MOSFET的器件。
NIS3001应用在符合VRM 9和VRM 10电源规范的直流/直流转换器和通信降压转换器上,它设计简洁,寄生电感极低,转换性能良好。门驱动器和MOSFET之间配合完善,使延迟时间达到最小。
采用分立器件方法需占用0.58平方英寸电路板空间,而NIS3001仅占用0.17平方英寸。该技术理念包括在标准QFN封装内装配模拟驱动器裸芯片。然后该模拟QFN连同两块MOSFET裸芯片共同封装在一个主电源QFN导线架内。整个模块以Mold Array Process (MAP)塑模。
制造商:Renesas Electronics 产品种类:参考电压 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 参考类型:Series Precision References 输出电压:4.096 V 温度系数:3 PPM/C 串联VREF—输入电压—最大值:18 V 分流电流—最大值:7 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 封装:Cut Tape 封装:Reel 准确性:150 uV/mA 高度:1.5 mm (Max) 输入电压:18 V 长度:5 mm (Max) 宽度:4 mm (Max) 商标:Renesas / Intersil 拓扑结构:Series References 负载调节:150 uV/mA 产品类型:Voltage References 工厂包装数量1000 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:540 mg 窗体底端
当采用1-Gbps外部调制器时,该器件由于采用温度控制的波长调谐,能把通信距离扩展至100km以上,因而降低了网络系统的成本。
作为外部调制器,ML9XX37能用在DWDM的C波段(1530-1565nm)的五个通道,通道间的间距为0.8nm波长ITU[2]栅格。
器件的温控波长调谐器能降低五通道系统备份模块的成本80%之多,因为能调整一个备份模块作为五个通道中的任一个,因此不必要保持五个未经调整的备份模块-每通道一个。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
NIS3001内具有导通电阻极低(2.6 毫欧)的用作同步MOSFET的器件,和速度极快以控制MOSFET的器件。
NIS3001应用在符合VRM 9和VRM 10电源规范的直流/直流转换器和通信降压转换器上,它设计简洁,寄生电感极低,转换性能良好。门驱动器和MOSFET之间配合完善,使延迟时间达到最小。
采用分立器件方法需占用0.58平方英寸电路板空间,而NIS3001仅占用0.17平方英寸。该技术理念包括在标准QFN封装内装配模拟驱动器裸芯片。然后该模拟QFN连同两块MOSFET裸芯片共同封装在一个主电源QFN导线架内。整个模块以Mold Array Process (MAP)塑模。
制造商:Renesas Electronics 产品种类:参考电压 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 参考类型:Series Precision References 输出电压:4.096 V 温度系数:3 PPM/C 串联VREF—输入电压—最大值:18 V 分流电流—最大值:7 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 封装:Cut Tape 封装:Reel 准确性:150 uV/mA 高度:1.5 mm (Max) 输入电压:18 V 长度:5 mm (Max) 宽度:4 mm (Max) 商标:Renesas / Intersil 拓扑结构:Series References 负载调节:150 uV/mA 产品类型:Voltage References 工厂包装数量1000 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:540 mg 窗体底端
当采用1-Gbps外部调制器时,该器件由于采用温度控制的波长调谐,能把通信距离扩展至100km以上,因而降低了网络系统的成本。
作为外部调制器,ML9XX37能用在DWDM的C波段(1530-1565nm)的五个通道,通道间的间距为0.8nm波长ITU[2]栅格。
器件的温控波长调谐器能降低五通道系统备份模块的成本80%之多,因为能调整一个备份模块作为五个通道中的任一个,因此不必要保持五个未经调整的备份模块-每通道一个。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)