高级Eco-mode 实现以最大限度提高了轻负载效率并降低了功率损耗。TPS54302 中引入了扩展频谱操作以降低EMI。高侧MOSFET 上的逐周期电流限制功能可在过载条件下保护转换器并通过防止电流失控的低侧MOSFET 续流电流限制功能实现功能增强。

TLV8801（单通道）和TLV8802（双通道）系列超低功耗运算放大器是无线和低功耗有线设备中成本优化型感测应用的理想选择。对于CO 检测器、烟雾检测器和运动检测安全系统（如PIR 运动检测）这类电池运行寿命至关重要的设备，TLV880x 放大器可最大限度降低其功耗。

功效：

符合AEC-Q100的汽车应用要求

4、6、8、10和12个半桥输出

每个输出1A RMS电流

并行输出的最大电流为6A

低功耗睡眠模式（1.5 μA）

支持3.3V和5V逻辑输入

SPI用于配置和诊断

5MHz，16位SPI通信

菊花链功能

可通过SPI编程的PWM发生器

单独的半桥PWM操作

可配置用于高端，低端和H桥负载驱动

支持8位占空比分辨率

集成保护功能，

通过SPI提供每通道详细诊断

nFAULT引脚输出

VM欠压锁定（UVLO）

VM过压保护（OVP）

逻辑电源上电复位（POR）

过电流保护（OCP）

增强的空载检测（旧）

热警告和关闭（OTW / OTSD）

产品概述：

DRV89xx-Q1

是引脚到引脚兼容

集成多通道半桥驱动器系列，

具有4至12个半桥。

该器件系列具有低导通电阻（RDS（ON）），

可在大电流操作期间改善热性能。

这些设备可以独立.

600 V EF系列快速体二极管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n沟道SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29 %，为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案，同时栅极电荷下降60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数（FOM）创业界新低。

器件的FOM为3.1 Ω*nC，比同类最接近的MOSFET低30 %。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而节省能源。器件采用PowerPAK® 8x8封装，符合RoHS标准，无卤素，耐受雪崩模式过压瞬变，并保证极限值100 %通过UIS测试。

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