电路及ESD静电保护1.25V浮置外部基准源

发布时间:2020/12/25 13:20:12 访问次数:231

为了支持DDR存储器系统，开关1用来产生2.5V电压，为存储器芯片供电(VDDQ)，开关2提供1.25V浮置外部基准源，支持DDR有源终端的要求。该器件也提供1.25V,3mA缓冲基准(VREF)输出。

为提升电池寿命，SC1486有几种省电模式。开关1提供的省电模式，降低小负载时的开关，以最小化开关损耗。开关2包括有S3等待模式，能关断开关，但缓冲VREF有输出，在暂停到RAM的状态减少功率损耗。两个开关工作时，静态电流1250uA，当开关2在等待时状态，静态电流下降至750uA。

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SC1486采用经常开态的控制器，以得到快速响应，降低冲跳电容的要求。通过改变电阻，器件的输出频率可在300到600kHz变化，使设计者能满足效率和输出滤波器的体积的要求，或选择一个频率，减少受其它电路的干扰。

另外的特点是集成栅极驱动器，提供两级软起动，降低过冲和震荡，避免出现EMI引起的瞬变和开关噪音。SC1486采用低边MOSFET的RDS(on)作为电流传感，以改善效率和降低成本。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）