相控阵波束转向示例。波前从两个不同方向射向四个天线元件。在接收路径上的每个天线元件后面都会产生延时，之后所有四个信号再汇总到一起。延时与波前到达每个元件的时间差一致。产生的延时会导致四个信号同相到达合并点。

这种一致的合并会增强组合器输出的信号。产生的延时相同，波前与天线元件垂直。现在产生的延时与四个信号的相位不一致，因此组合器输出会被大幅削弱。

在相控阵中，延时是波束转向所需的可量化变量。但也可以通过相移来仿真延时，这在许多实现中是十分常见且实用的做法。

英飞凌200 - 250 v

HEXFET®功率场效应管

英飞凌200-250V HEXFET®Power mosfet®Power mosfet提供多种mosfet，包括各种封装、电流和RDS(on)评级。这些200-250V HEXFET®功率mosfet采用最新的加工技术，以实现低通电阻每硅区。这一优势，再加上英飞凌HEXFET®Power mosfts的快速开关速度和坚固耐用的设备设计，为设计师提供了一个非常高效和可靠的设备，可用于多种应用。

产品种类:MOSFETRoHS:  技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:200 VId-连续漏极电流:94 A

RF信号源与线性阵列相隔较远。如果RF源较远，则球形波前的大半径会导致大致平行的波传播路径。所有波束角均相等，每个相邻元件的路径长度(L = d × sinθ)均超过隔壁元件。这样简化了数学计算，意味着我们推导出来的双元件等式可以应用到数千个元件，但前提是这些元件间隔相同。

D表示天线直径（对于等间隔线性阵列为(N-1) × d）

对于小型阵列（D值小）或低频（λ值大），远场距离较小。但对于大型阵列（或高频），远场距离可能长达数千米,这样测试和校准阵列就十分困难。对于这类情况，可以使用更为详细的近场模型，然后再按比例扩展到真实世界使用的远场阵列。

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