ADAS/信息娱乐系统外围单元电子电路进行复杂的设计
发布时间:2023/5/29 21:53:03 访问次数:75
额定工作温度范围-25°C到+85°C，并支持1.7V-1.95V和2.7V-3.6V双电压电源，可满足无线产品等电池供电的移动设备对电源的要求。32GB容量的产品的样片。
1 Gb SLC NAND还大幅度提高了存储器的性能，把数据读取速度提高了一倍，从原来的每秒13MB提到现在的每秒26MB。基于48nm工艺，1 GbSLC NAND程序运行速度是90nm产品的4倍，擦除操作是90nm产品的8倍，使产品的性能更强，用户的使用体验更好。
为了延长存储器的使用寿命，1 Gb SLC NAND提供了标准的每528字节地址空间1位ECC的选项，需要1位EEC校验功能的应用无需升级软件或修改硬件，就能轻松升级到1位ECC校验。 48nm 1Gb NAND产品采用300mm技术生产。
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI2302CDS-T1-GE3
描述
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
详细描述 表面贴装-N-沟道-20V-2.6A（Ta）-710mW（Ta）-SOT-23-3（TO-236）
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）
驱动电压
OSRAM Opto Semiconductors SFH 4737宽波段红外发射器
OSRAM Opto Semiconductors SFH 4737是市面上超小的光谱应用近红外LED (NIRED)。
车载单元数量的增加以及必须通过电子电路实现的功能的增加，ADAS/信息娱乐系统外围单元的电子电路需要进行以下复杂的设计：
摄像头和传感器数量的增加，需要安装的电子元器件数量也在增加，需要供给的电源轨也变得越来越复杂，因此需要在成本、尺寸和特性方面进行优化组合。
由于不能牺牲续航里程，因此就需要高效率的电源系统。
福建芯鸿科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
额定工作温度范围-25°C到+85°C，并支持1.7V-1.95V和2.7V-3.6V双电压电源，可满足无线产品等电池供电的移动设备对电源的要求。32GB容量的产品的样片。
1 Gb SLC NAND还大幅度提高了存储器的性能，把数据读取速度提高了一倍，从原来的每秒13MB提到现在的每秒26MB。基于48nm工艺，1 GbSLC NAND程序运行速度是90nm产品的4倍，擦除操作是90nm产品的8倍，使产品的性能更强，用户的使用体验更好。
为了延长存储器的使用寿命，1 Gb SLC NAND提供了标准的每528字节地址空间1位ECC的选项，需要1位EEC校验功能的应用无需升级软件或修改硬件，就能轻松升级到1位ECC校验。 48nm 1Gb NAND产品采用300mm技术生产。
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI2302CDS-T1-GE3
描述
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
详细描述 表面贴装-N-沟道-20V-2.6A（Ta）-710mW（Ta）-SOT-23-3（TO-236）
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）
驱动电压
OSRAM Opto Semiconductors SFH 4737宽波段红外发射器
OSRAM Opto Semiconductors SFH 4737是市面上超小的光谱应用近红外LED (NIRED)。
车载单元数量的增加以及必须通过电子电路实现的功能的增加，ADAS/信息娱乐系统外围单元的电子电路需要进行以下复杂的设计：
摄像头和传感器数量的增加，需要安装的电子元器件数量也在增加，需要供给的电源轨也变得越来越复杂，因此需要在成本、尺寸和特性方面进行优化组合。
由于不能牺牲续航里程，因此就需要高效率的电源系统。
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