单片机技术16位PIC24单片机(MCUs)和dsPIC数字信号控制器(DSCs)提供高性能、低功耗、灵活的外围设备和完整的软硬件开发工具生态系统，加快应用开发。拥有专门的电机控制外设、数字功率转换、低功耗安全性和先进的模拟集成，16位芯片技术组合在低成本、低功耗和高性能之间提供了良好的平衡。广泛的产品线包括从超低功耗微控制器到高性能双核数字信号控制器。

PIC24F单片机灵活的整合周边设备,PIC24和dsPIC33设备包括一套强大的集成外围设备，用于各种应用，包括低功耗、高性能嵌入式、电机控制、数字功率转换和安全关键应用，包括汽车、工业控制、物联网和便携式医疗市场。这种高水平的集成有助于降低设计成本和时间，允许设计师定制和区分他们的最终产品。

特性

设计用于保护敏感电子器件免受感应负载开关和雷电引起的电压瞬变

低调的DO-214AA (SMBJ)包

峰值脉冲浪涌电流从2.03A到65.9A

理想的自动放置

±3.5%，非常严格的VBR公差

良好的夹紧能力，从9.1V到301V

600 w峰值脉冲功率容量10/1000μs波形,重复率(占空比):0.01%

在单向的

该系列由47台电视组成，电压从5V到188V不等

优秀的夹紧功能

非常快的响应时间

温度范围从-55°C到+150°C

低增量浪涌电阻

符合MSL等级1，按J-STD-020, LF最大峰值260℃

高速抗辐射逻辑产品系列的两个首发产品，让航天电子数字电路工作频率达到150MHz以上。QML-V标准认证的RHFOSC04 (SMD 5962F20207)晶振驱动器/分频器芯片和RHFAHC00 (SMD 5962F18202)四路NAND门逻辑芯片的门工作速度是典型抗辐射加固逻辑芯片的两倍以上，保证高频电路响应速度更快。

采用意法半导体专有的经过整个航天工业检验的130nm CMOS技术设计，新器件兼备高工作速度、低工作电流和业内一流的高达 300 krad (Si) TID的RHA（抗辐射加固保证）级别的抗辐射能力，在125 MeV.cm2/mg下无SEL 和 SET现象发生。