漏源击穿电压BUDS。也称漏源耐压值，是当场效应管的漏源电压UDS增大到一定数值时，使漏极电流ID突然增大且不受栅极电压控制时的最大漏源电压。

栅源击穿电压BUGS。是场效应管的栅、源极之间能承受的最大上作电压。

耗散功率PD 也称漏极耗散功率，该值约等于漏源电压UDS与漏极电流ID的乘积。

漏泄电流IGSS 是场效应管的栅—沟道结施加反向偏压时产生的反向电流。

直流输入电阻RGS 也称栅源绝缘电阻，是场效应管栅—沟道在反偏电压作用下的电阻值，约等于栅源电压UGS与栅极电流的比值。

漏源动态电阻RDS 是漏源电压UDS的变化量与漏极电流ID的变化量之比，一般为数千欧以上。

低频跨导gm 也称放大特性，是栅极电压UG对漏极电流ID的控制能力，类似于三极管的电流放大倍数β值。

极间电容 是场效应管各极之间分布电容形成的杂散电容。栅源极电容(输入电容)CGS和栅漏极电容cGD的电容量为1~3pF，漏源极电容CDS的电容量为0.1~1pF。

随着LED芯片技术和制程、封装、LED光源制造和配套产业的生产制造技术更新迭代迅速，LED产品功能的不断完善、产品市场渗透率不断提高，LED技术的进步与市场的不断成熟推动了LED市场的快速发展，预计到2020年，中国LED行业总体产值将突破10000亿元，随着产品的进步和LED行业不断扩大，未来太阳节律照明产品在LED市场渗透率将会快速提高，将LED行业带入更加健康时代，将LED产品带入太阳节律时代。

通常将刚刚形成导电沟道、出现漏极电流ID时对应的栅一源电压称为开启电压，用UGS(th)或UT表示。

开启电压UT是MOS增强型管的参数。当栅一源电压UGS小于开启电压的绝对值时，场效应管不能导通。

当UDS为某一固定值(如10V)，使ID等于某一微小电流(如50mA)时，栅一源极间加的电压即为夹断电压。当UGS=UP时，漏极电流为零。

饱和漏极电流IDSS是在UGS =0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。IDSS型场效应管所能输出的最大电流。

直流输入电阻RGS是漏一源短路，栅一源加电压时栅一源极 之间的直流电阻。

结型场效应管：RGS>>107ΩMOS管：RGS>>109～1015Ω。

漏极电流的微变量与栅一源电压微变量之比，即gm=△ID/△UGS。它是衡量场效应管栅一源电压对漏极电流控制能力的一个参数。gm相当于三极管的hFE。

最大漏极功耗PD=UDSID，相当于三极管的PCM。

(素材来源：21ic和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）