+60V或-60V在加电可编转换速率增强特性和I3C
发布时间:2020/11/14 12:57:06 访问次数:930
双路单刀单掷(SPST)低电阻开关,具有过压保护,关电保护和过压检测.当没有电源的时候,开关保持断开态,而开关输入是高阻抗状态.加电后,如果Sx引脚的模拟输入信号电平超过VDD或VSS一个阈值VT,两个开关同时关断,而开漏极故障标识(FF)引脚下拉到逻辑低电平.输入信号电平对地高达+60V或-60V在加电或没电条件下会受到阻隔.
ADG5421F工作在双电源 ±5 V 到高达±22 V或单电源+8 V到高达+44 V.典型开态电阻变化超平坦,为11 Ω.主要用在模拟输入和输出模块,过程控制和分布控制系统,数据采集,仪表和航空航天电子设备,自动测试仪表(ATE),通信系统,继电器替代.通过与TDK合作,我们将GreenPAK技术的灵活性、可配置性、可扩展性与业内最紧凑、功率密度最高的TDK负载点解决方案结合到单个芯片组中,实现了比市场现有方案更具成本效益、功率效益、完全集成且可靠的电源时序系统。
应用:
移动设备
智能手机
可穿戴设备
音频系统
射频电路等
特性:
高纹波抑制比:
R.R.=100dB(典型值)@f=1kHz,VOUT=2.8V
R.R.=68dB(典型值)@f=100kHz,VOUT=2.8V
低输出噪声电压:VNO=5μVrms(典型值)@10Hz≤f≤100kHz
低静态电流:IB(ON)=7μA(典型值)@IOUT=0mA
小巧纤薄的紧凑型DFN4C封装:1.0mm×1.0mm,厚度=0.38mm(典型值)

MachXO3D系列是新一代低密度PLD器件,包括增强安全特性和片上两个引导闪存. 增强安全特性包括先进的安全加密标准(AES) AES-128/256,安全哈希算法(SHA) SHA-256,椭圆曲线数字签名算法(ECIES),哈希消息验证码(HMAC) HMAC-SHA256,公钥加密术和单独安全ID.
MachXO3D系列是信任根(Root of Trust)硬件解决方案,很容易升级用来保护整个系统,具有增强比特流安全性和用户模式功能.器件的I/O特性支持最新的工业标准I/O,包括可编转换速率增强特性和I3C. MachXO3D系列的逻辑密度从4.3K到9.4K LUT4,高I/O引脚/LUT比,高达383个I/O引脚. MachXO3D器件采用65nm非易失低功耗工艺制造,器件架构具有几个特点如可编低摆幅差分I/O和能关断I/O组,片上PLL和动态振荡器.
(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
双路单刀单掷(SPST)低电阻开关,具有过压保护,关电保护和过压检测.当没有电源的时候,开关保持断开态,而开关输入是高阻抗状态.加电后,如果Sx引脚的模拟输入信号电平超过VDD或VSS一个阈值VT,两个开关同时关断,而开漏极故障标识(FF)引脚下拉到逻辑低电平.输入信号电平对地高达+60V或-60V在加电或没电条件下会受到阻隔.
ADG5421F工作在双电源 ±5 V 到高达±22 V或单电源+8 V到高达+44 V.典型开态电阻变化超平坦,为11 Ω.主要用在模拟输入和输出模块,过程控制和分布控制系统,数据采集,仪表和航空航天电子设备,自动测试仪表(ATE),通信系统,继电器替代.通过与TDK合作,我们将GreenPAK技术的灵活性、可配置性、可扩展性与业内最紧凑、功率密度最高的TDK负载点解决方案结合到单个芯片组中,实现了比市场现有方案更具成本效益、功率效益、完全集成且可靠的电源时序系统。
应用:
移动设备
智能手机
可穿戴设备
音频系统
射频电路等
特性:
高纹波抑制比:
R.R.=100dB(典型值)@f=1kHz,VOUT=2.8V
R.R.=68dB(典型值)@f=100kHz,VOUT=2.8V
低输出噪声电压:VNO=5μVrms(典型值)@10Hz≤f≤100kHz
低静态电流:IB(ON)=7μA(典型值)@IOUT=0mA
小巧纤薄的紧凑型DFN4C封装:1.0mm×1.0mm,厚度=0.38mm(典型值)

MachXO3D系列是新一代低密度PLD器件,包括增强安全特性和片上两个引导闪存. 增强安全特性包括先进的安全加密标准(AES) AES-128/256,安全哈希算法(SHA) SHA-256,椭圆曲线数字签名算法(ECIES),哈希消息验证码(HMAC) HMAC-SHA256,公钥加密术和单独安全ID.
MachXO3D系列是信任根(Root of Trust)硬件解决方案,很容易升级用来保护整个系统,具有增强比特流安全性和用户模式功能.器件的I/O特性支持最新的工业标准I/O,包括可编转换速率增强特性和I3C. MachXO3D系列的逻辑密度从4.3K到9.4K LUT4,高I/O引脚/LUT比,高达383个I/O引脚. MachXO3D器件采用65nm非易失低功耗工艺制造,器件架构具有几个特点如可编低摆幅差分I/O和能关断I/O组,片上PLL和动态振荡器.
(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
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