应用领域包括离子注入、增材制造、电子束焊接、溅射、气相沉积和等离子体源。

BQ系列的一个主要特点是所有模块都是空气绝缘的。使用空气作为主要介电介质可省油或密封，这意味着它重量轻，重量在40公斤以下，易于维护和维修，从而降低总体成本。

所有模块都可以通过自动转换在恒压和恒流模式之间转换。此功能可防止过载、电弧和短路。后面板开关允许选择恒流或电流跳闸模式。为了管理电弧，BQ系列电源具有灭弧和电弧计数功能。第一个功能在每次负载电弧后短时间内抑制高压输出，以帮助熄灭电弧。电弧计数可防止系统或负载电弧问题超出工厂设置的参数。它通过内部电路来计算在给定时间内发生的电弧，并在必要时关闭电源以清除故障，然后在预先设置的“关闭保持时间”后自动重新启动。

应用：

大容量AC-DC转换器

光伏逆变器

大容量双向DC-DC转换器

特性：

第2代芯片设计（内置碳化硅SBD）

高电压、低输入电容、低总栅电荷、低导通电阻、低二极管正向电压、高栅阈值电压：

VDSS＝1200V，Ciss＝1680pF（典型值），Qg＝67nC（典型值），

RDS（ON）＝70mΩ（典型值），VDSF＝-1.35V（典型值），Vth＝4.2～5.8V

增强类型易于操作

1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。

该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。

碳化硅MOSFET可靠性的东芝第二代芯片设计生产，实现了输入电容低、栅输入电荷低、漏源导通电阻低等特性。与东芝推出的1200V硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）“GT40QR21”相比，“TW070J120B”关断开关损耗降低80%左右，开关时间（下降时间）缩短大约70%，并且能够在不超过20A的漏极电流下提供低导通电压。

栅阈值电压被设置在4.2V至5.8V的较高电压范围内，有助于减少故障风险（意外开启或关闭）。内置的具有低正向电压的碳化硅肖特基势垒二极管（SBD）也有助于降低功率损耗。

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